[發明專利]一種銅/空氣隙的制備方法有效
| 申請號： | 201210437593.9 | 申請日： | 2012-11-06 |
| 公開（公告）號： | CN103066014B | 公開（公告）日： | 2017-11-07 |
| 發明（設計）人： | 林宏 | 申請（專利權）人： | 上海集成電路研發中心有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吳世華,林彥之 |
| 地址： | 201210 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 空氣 制備 方法 | ||
1.一種銅/空氣隙的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
在襯底上依次形成通孔層，刻蝕停止層和金屬線互連層，其中金屬線互連層由犧牲介質沉積而成；
形成貫穿所述金屬線互連層和所述刻蝕停止層的金屬互連線溝槽；
在所述金屬互連線溝槽填充金屬，形成金屬互連線；
刻蝕所述金屬線互連層的所述犧牲介質，并停止于所述刻蝕停止層；
刻蝕所述刻蝕停止層，保留所述金屬互連線底部邊緣處的所述刻蝕停止層；
于所述金屬線互連層上沉積介質層，以在所述金屬線互連層內形成空氣隙。
2.根據權利要求1所述的銅/空氣隙的制備方法，其特征在于，所述形成貫穿所述金屬線互連層和所述刻蝕停止層的金屬互連線溝槽的步驟包括：
于所述金屬線互連層上光刻金屬互連線區域，刻蝕該區域的所述犧牲介質并停止于所述刻蝕停止層；
刻蝕所述刻蝕停止層對應位置，以形成貫穿所述金屬線互連層和所述刻蝕停止層的金屬互連線溝槽。
3.根據權利要求1所述的銅/空氣隙的制備方法，其特征在于，
在所述金屬互連線溝槽填充金屬，形成所述金屬互連線后，平坦化所述金屬線互連層。
4.根據權利要求1所述的銅/空氣隙的制備方法，其特征在于，刻蝕所述金屬線互連層的所述犧牲介質，并停止于所述刻蝕停止層的步驟包括：
以所述金屬互連線作為硬掩膜，刻蝕所述金屬線互連層的所述犧牲介質，并停止于所述刻蝕停止層。
5.根據權利要求1所述的銅/空氣隙的制備方法，其特征在于，所述刻蝕停止層材料為含氮的硅化物。
6.根據權利要求1所述的銅/空氣隙的制備方法，其特征在于，所述犧牲介質為含氟二氧化硅、含碳二氧化硅或含硼磷二氧化硅。
7.根據權利要求1所述的銅/空氣隙的制備方法，其特征在于，所述刻蝕停止層與所述金屬線互連層的刻蝕選擇比大于50:1。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
