[發(fā)明專利]一種LVDS線纜的屏蔽方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210437568.0
• 申請(qǐng)日: 2012-11-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102969081A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-03-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李冉;徐軍;倪子楠;盛北飛;陳海波;張亞潔;李紅林;劉曉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京空間飛行器總體設(shè)計(jì)部
• 主分類號(hào): H01B13/00
• 分類號(hào): H01B13/00;H01B13/22
• 代理公司: 中國(guó)航天科技專利中心 11009
• 代理人: 安麗

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種LVDS線纜的屏蔽方法，屬于線纜信號(hào)屏蔽技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

LVDS(Low?Voltage?Differential?Signaling低壓差分信號(hào))線纜一種是廣泛應(yīng)用于宇航產(chǎn)品的線纜，LVDS信號(hào)是一種低壓擺幅的差分信號(hào)技術(shù)，具有更高的比特率，更低的功耗和更穩(wěn)定的可靠性而被廣泛使用。然而受傳統(tǒng)工藝限制，線纜的屏蔽層在距接插件5mm-20mm處截止，該縫隙僅進(jìn)行絕緣處理，成為線纜輻射發(fā)射的主要途徑。使用該線纜的單機(jī)在進(jìn)行輻射發(fā)射類測(cè)試時(shí)，經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)超出限值要求的現(xiàn)象。此現(xiàn)象廣泛出現(xiàn)于各類使用LVDS線纜的航天產(chǎn)品中，亟需改進(jìn)屏蔽設(shè)計(jì)方法，適應(yīng)型號(hào)應(yīng)用需求。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的技術(shù)解決問(wèn)題是：提出了一種LVDS線纜的屏蔽方法，在不破壞LVDS線纜原有優(yōu)良特性的情況下，對(duì)其電磁兼容性能進(jìn)行優(yōu)化，提高其電磁屏蔽度。

本發(fā)明的技術(shù)解決方案是：

一種LVDS線纜的屏蔽方法，所述LVDS線纜包括接插件和線纜兩部分，線纜由內(nèi)到外依次為線芯、屏蔽層、絕緣層，步驟如下：

(1)將線纜一端的屏蔽層和絕緣層剝開(kāi)，露出線芯，將線芯與對(duì)應(yīng)的接插件插針作相連加工，去除剝開(kāi)的屏蔽層和絕緣層；

(2)對(duì)步驟(1)中得到的線纜靠近接插件的部分，將絕緣層再次剝開(kāi)，露出屏蔽層；

(3)使用屏蔽材料作二次加強(qiáng)屏蔽層處理。

所述作二次加強(qiáng)屏蔽層處理是指：使用屏蔽材料將從露出的屏蔽層到接插件內(nèi)腔體底部之間的部分再次包裹，形成二次加強(qiáng)屏蔽層。所述二次加強(qiáng)屏蔽層與所述露出的屏蔽層之間為360°搭接。二次加強(qiáng)屏蔽層與所述露出的屏蔽層之間進(jìn)行搭接的搭接電阻小于10mΩ。所述露出線芯的長(zhǎng)度為25-40mm。

步驟(2)中所述將絕緣層再次剝開(kāi)的長(zhǎng)度為8～10mm。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比的有益效果是：

(1)本發(fā)明方法大大減少LVDS線纜對(duì)外輻射發(fā)射的量值，優(yōu)化了線纜本身的電磁屏蔽性能，從而可以使得使用該線纜的射頻單機(jī)輻射指標(biāo)增強(qiáng)，確保宇航型號(hào)任務(wù)的完成；

(2)使用本發(fā)明方法制作的LVDS電纜，同時(shí)還能減小外界電磁干擾對(duì)LVDS線纜本身的串?dāng)_，從而提高設(shè)備的抗擾度；

附圖說(shuō)明

圖1為L(zhǎng)VDS線纜上傳輸?shù)臅r(shí)鐘信號(hào)為周期性矩形脈沖；

圖2為依照傳統(tǒng)工藝制作的LVDS線

圖3為將LVDS線纜的絕緣層剝開(kāi)10mm示意圖

圖4為二次加強(qiáng)屏蔽處理示意圖

圖5為本發(fā)明流程圖

具體實(shí)施方式

一般航天器有多個(gè)射頻設(shè)備使用LVDS線纜，并在線纜中傳遞信號(hào)，時(shí)鐘信號(hào)是最常見(jiàn)的一種，其信號(hào)形式如圖1所示，tr：上升時(shí)間；tf：下降時(shí)間；τ：脈沖寬度；T：周期；A：幅度。該類信號(hào)含有豐富的高頻分量，容易向空間輻射電磁波。由于線纜屏蔽層與接插件之間屏蔽不連續(xù)，存在約5mm-20mm的縫隙；同時(shí)，線纜以及接插件中未使用的線芯也為設(shè)備內(nèi)部信號(hào)向外輻射提供途徑導(dǎo)致時(shí)鐘以及其諧波信號(hào)外漏，使得用LVDS線纜的射頻單機(jī)普遍存在輻射發(fā)射測(cè)試項(xiàng)超差，超差頻點(diǎn)集中在時(shí)鐘及其諧波頻點(diǎn)處。在分系統(tǒng)級(jí)的自兼容測(cè)試中，發(fā)現(xiàn)了與單機(jī)測(cè)試結(jié)果一致的現(xiàn)象，分系統(tǒng)的雜散指標(biāo)不滿足要求，航天器無(wú)法達(dá)到自兼容，直接影響航天器的飛行任務(wù)

本發(fā)明著重從二次加強(qiáng)屏蔽、空置線芯雙端接地兩方面實(shí)現(xiàn)LVDS線纜的電磁兼容性能的優(yōu)化。

本發(fā)明提供了一種LVDS線纜的屏蔽方法，如圖5所示，步驟如下：

第一步：依照傳統(tǒng)工藝，進(jìn)行LVDS線纜的加工制作，LVDS線纜由接插件和線纜兩部分加工而成，其中線纜由內(nèi)到外依次為線芯、屏蔽層、絕緣層。首先將線纜的一端的屏蔽層和絕緣層剝開(kāi)，露出約25-40mm的線芯長(zhǎng)度。依照LVDS線纜制作要求，將線芯與對(duì)應(yīng)的接插件插針作相連加工，去除剝開(kāi)的屏蔽層和絕緣層，得到依照傳統(tǒng)工藝加工而成的LVDS線纜，線纜與接插件間有5-20mm的縫隙，如圖2所示，圖中1為插接件，2為線芯，3為線纜。

第二步：對(duì)步驟(1)中得到的線纜靠近接插件的部分，將絕緣層再次剝開(kāi)，露出屏蔽層，剝開(kāi)長(zhǎng)度為8～10mm，如圖3所示，圖中，圖中1為插接件，2為線芯，3為線纜，4為屏蔽層，5為絕緣層。