[發(fā)明專利]一種可提高擴散性能的涂源擴散方法

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• 申請日: 2012-11-02
• 公開（公告）號: CN103806105A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 凌俊;嚴(yán)婷婷;艾凡凡;陳如龍;楊健
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫尚德太陽能電力有限公司
• 主分類號: C30B31/00
• 分類號: C30B31/00;C30B33/08
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種可提高擴散性能的涂源擴散方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：a、提供完成制絨清洗的硅片；b、在所述硅片表面形成親水性的柱錐狀絨面，所述柱錐狀絨面的粒徑范圍為50～300nm；c、在所述硅片表面涂覆擴散源；d、對所述硅片進行熱處理形成PN結(jié)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可提高擴散性能的涂源擴散方法，其特征在于，步驟b包括以下步驟：b0、提供具有離子反應(yīng)腔和射頻電源的離子反應(yīng)設(shè)備；b1、將所述硅片放入所述反應(yīng)離子腔內(nèi)；b2、通入反應(yīng)氣體且啟動射頻電源以產(chǎn)生射頻電場生成反應(yīng)離子團；b3、所述離子團在所述硅片表面刻蝕形成粒徑為50～200nm的柱錐狀絨面；b4、通過氫氟酸和鹽酸的混合溶液對所述硅片進行清洗；b5、通過去離子水對所述硅片進行清洗。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可提高擴散性能的涂源擴散方法，其特征在于，在步驟b2中，反應(yīng)氣體包括氯氣、六氟化硫和氧氣，所述射頻電源的頻率為13.56MHZ，功率為5KW。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可提高擴散性能的涂源擴散方法，其特征在于，在步驟b4中，所述氫氟酸的質(zhì)量百分比濃度為4％～7％，鹽酸的質(zhì)量百分比濃度為7％～12％，清洗溫度為20～25℃，清洗時間為9～15min。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可提高擴散性能的涂源擴散方法，其特征在于，步驟B包括以下步驟：B0、通過硝酸銀和氫氟酸的混合溶液在所述硅片表面形成粒徑為50～150nm的柱錐狀絨面；B1、通過氫氟酸和鹽酸的混合溶液對所述硅片進行清洗；B2、通過去離子水對所述硅片進行清洗。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的可提高擴散性能的涂源擴散方法，其特征在于，在步驟B0中，所述氫氟酸的質(zhì)量百分比濃度為5％～11％，硝酸銀的質(zhì)量百分比濃度為0.15％～0.48％。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可提高擴散性能的涂源擴散方法，其特征在于，所述硅片的摻雜類型為P型，所述擴散源為磷酸溶液或磷漿。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的可提高擴散性能的涂源擴散方法，其特征在于，所述磷酸溶液的質(zhì)量百分比濃度為2％～5％。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可提高擴散性能的涂源擴散方法，其特征在于，在步驟a中，所述硅片為多晶硅片，所述多晶硅片的制絨清洗包括以下步驟：a0、通過硝酸和氫氟酸的混合溶液對多晶硅片制絨，所述氫氟酸的質(zhì)量百分比濃度為4％～7％，所述硝酸的質(zhì)量百分比濃度為20％～35％，制絨溫度為2～10℃；a1、通過氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液對所述多晶硅片進行清洗，所述氫氧化鈉或氫氧化鉀的質(zhì)量百分比濃度為3％～5％，清洗溫度為20～25℃，清洗時間為20～40s；a2、通過氫氟酸和鹽酸的混合溶液對所述多晶硅片進行清洗，所述氫氟酸的質(zhì)量百分比濃度為4％～7％，鹽酸的質(zhì)量百分比濃度為7％～12％，清洗溫度為20～25℃，清洗時間為40～80s；a3、通過去離子水對所述多晶硅片進行清洗。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可提高擴散性能的涂源擴散方法，其特征在于，在步驟a中，所述硅片為單晶硅片，所述單晶硅片的制絨清洗包括以下步驟：A0、通過氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液、異丙醇和添加劑的混合溶液對單晶硅片進行制絨，其中氫氧化鈉或氫氧化鉀的質(zhì)量百分比濃度為1％～1.5％，異丙醇質(zhì)量百分比濃度為2％～5％，制絨溫度為75～85℃，制絨時間為15～40min；A1、通過氫氟酸和鹽酸的混合溶液對所述硅片進行清洗，所述氫氟酸的質(zhì)量百分比濃度為4％～7％，鹽酸的質(zhì)量百分比濃度為7％～12％，清洗溫度為20～25℃，清洗時間為5～10min；A2、通過去離子水對所述硅片進行清洗。