[發明專利]一種太陽電池背面局部接觸結構及其制造方法和對應的太陽電池及其制造方法

在審

• 申請號: 201210437455.0
• 申請日: 2012-11-02
• 公開（公告）號: CN102931278A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發明（設計）人: 王振交;王永謙;陳麗萍;朱海東;張光春;施正榮
• 申請（專利權）人: 無錫尚德太陽能電力有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/068
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種太陽電池背面局部接觸結構制造方法，其特征在于，包括以下步驟：a1、提供完成清洗、正面擴散制PN結、邊緣刻蝕的硅片；b1、在所述硅片背面沉積鈍化層；c1、在所述鈍化層上沉積與所述硅片摻雜類型相同的摻雜非晶介質層；d1、通過激光輻射硅片背面局部區域以在硅片背面上所述局部區域形成局部重摻區，并在摻雜非晶介質層和鈍化層的對應位置上形成開口；e1、在硅片背面上形成經由所述開口與所述局部重摻區電性連接的背面電極。

2.按照權利要求1所述的太陽電池背面局部接觸結構制造方法，其特征在于，所述硅片的摻雜類型為P型，所述摻雜非晶介質層為摻硼a-Si_mO_xC_yN_z或摻硼a-Si_mO_xC_yN_z:H，所述m和y不能同時為零。

3.按照權利要求2所述的太陽電池背面局部接觸結構制造方法，其特征在于，所述摻雜非晶介質層為摻硼a-Si、摻硼a-Si:H、摻硼a-SiO_x、摻硼a-SiO_x:H、摻硼a-SiC_y、摻硼a-SiC_y:H、摻硼a-SiN_z、摻硼a-SiN_z:H、摻硼a-Si_mC_yN_z、摻硼a-Si_mC_yN_z:H、摻硼a-C_yN_z、摻硼a-C_yN_z:H、摻硼a-C_y、摻硼a-C_y:H中的一種或多種。

4.按照權利要求3所述的太陽電池背面局部接觸結構制造方法，其特征在于，所述摻雜非晶介質層為摻硼a-Si_mO_xC_yN_z或摻硼a-Si_mO_xC_yN_z:H，其通過等離子增強化學氣相沉積工藝形成，所述工藝氣體包括乙硼烷(B₂H₆)或三甲基硼(TMB)或三氟化硼(BF₃)，所述工藝溫度為100～450℃，所述硼在非晶硅中的摻雜濃度為1×10¹⁷～1×10²²。

5.按照權利要求3或4所述的太陽電池背面局部接觸結構制造方法，其特征在于，在步驟d1中，通過連續激光器或脈沖激光器對硅片背面區域進行輻射，所述輻射速度為100～2000mm/s，所述局部重摻區在硅片背表面的有效硼摻雜濃度為1×10²⁰～8×10²⁰。

6.按照權利要求1所述的太陽電池背面局部接觸結構制造方法，其特征在于，所述鈍化層為氧化硅和氮化硅的疊層，所述氧化硅和氮化硅的厚度范圍分別為5～20nm和50～300nm。

7.按照權利要求1所述的太陽電池背面局部接觸結構制造方法，其特征在于，所述鈍化層為三氧化二鋁，其厚度范圍為5～300nm。

8.按照權利要求1所述的太陽電池背面局部接觸結構制造方法，其特征在于，所述硅片厚度范圍為150～400μm，所述摻雜非晶介質層厚度范圍為0.01～10μm。

9.按照權利要求1所述的太陽電池背面局部接觸結構制造方法，其特征在于，所述局部重摻區為多個線形、多個線段形、多個圓形或圓環形、多個方形或方框形，或多個多邊形或多邊框形，所述多個線形、多個線段形、多個圓形或圓環形、多個方形或方框形，多個多邊形或正邊框形排列成面陣列結構，所述局部重摻區的面積占硅片背面總面積的0.1％～10％。

10.按照權利要求1所述的太陽電池背面局部接觸結構制造方法，其特征在于，在步驟e1中，通過絲網印刷鋁漿或銀鋁漿或者濺射、蒸發鋁并進行熱處理在硅片背面形成背面電極。