[發(fā)明專利]半導體器件的制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210437354.3 | 申請日： | 2012-11-05 |
| 公開（公告）號： | CN103094426A | 公開（公告）日： | 2013-05-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 虞浩輝;周宇杭 | 申請（專利權(quán)）人： | 江蘇威納德照明科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京天翼專利代理有限責任公司 32112 | 代理人： | 黃明哲 |
| 地址： | 213342 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導體器件 制造 方法 | ||
1.一種發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：
步驟（1）、在藍寶石襯底（1）的（0001）方向上生長GaN緩沖層（2）；
步驟（2）、在GaN緩沖層上蒸鍍N型電極（3）；
步驟（3）、在N型電極（3）上蒸鍍量子阱反射層（4）；
步驟（4）、在量子阱反射層（4）上生長一層厚度30～40μm的金屬層；
利用干法刻蝕技術(shù)將該金屬層制備成周期排列的條狀金屬層（5）；
步驟（5）、在周期排列的條狀金屬層（5）上外延生長N型GaN層（6）；
步驟（6）、在N型GaN層（6）上生長有源層（7）；
步驟（7）、在有源層（7）上生長P型GaN層（8）；
步驟（8）、在P型GaN層（8）上生長P型電極（9）。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟（2）中，N型電極（3）為Ag。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟（3）中，量子阱反射層（4）為逐層形成的Ag、Ni、Ti層。其厚度為120～150nm。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟（4）中，金屬層為Au，條狀金屬層之間的間隔為60～80μm。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟（6）中，有源層（7）為AlInGaN多量子阱層。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟（8）中，先用CF4處理P型GaN層（8）表面，然后在P型GaN層（8）表面蒸鍍Al，形成與P型GaN層（8）歐姆接觸的P型電極。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述P型電極厚度為在400-500nm。
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