[發明專利]等離子體處理裝置

有效

• 申請號: 201210436576.3
• 申請日: 2012-11-05
• 公開（公告）號: CN103094043A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 置田尚吾;渡邊彰三;巖井哲博
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01J37/20
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 汪惠民

1.一種等離子體處理裝置，具備：

一體結構的腔室主體，其具備：在上下方向上相互對置的頂壁及底壁、相互對置的一對側壁、設置有等離子體處理的處理對象物的搬入搬出口的一端側的端壁、另一端側的開口端；

蓋體，其固定在所述腔室主體上且以劃分產生等離子體的腔室的方式封閉所述開口端；

處理對象物支承臺，其在作為所述腔室的所述端壁側的區域的處理室內保持配置在所述底壁上的所述處理對象物；

氣體供給口，其設置在所述處理對象物支承臺的上方，用于向所述腔室內供給等離子體產生用的氣體；

排氣口，其在作為所述腔室的所述開口端側的區域的排氣室內設置在所述底壁上，用于排出所述腔室內的所述氣體；

第一凹部，其設置在所述處理對象物支承臺的側部的至少與所述端壁及所述側壁對置的部位。

2.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

具備第二凹部，該第二凹部設置在所述端壁的內側面的比所述搬入搬出口靠下方側的位置。

3.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述排氣室的所述一對側壁的內表面之間的間隔固定。

4.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述處理對象物支承臺具備：配置在所述底壁上的圓柱狀的基座、設置在所述基座的上端而配置所述處理對象物的載物臺，

所述第一凹部設置成繞作為圓筒面的所述基座的側部一周。

5.根據權利要求4所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述端壁的內側面的俯視下的形狀為在所述處理對象物支承臺的所述基座的周圍隔開固定間隔配置的半圓狀。

6.根據權利要求5所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

還具備內腔室，該內腔室安裝于所述腔室主體的所述頂壁的安裝孔，

所述內腔室具備筒狀部，該筒狀部插入所述腔室內，并且下端位于比所述底壁的內表面靠上方處，上端的開口被電介質板封閉，所述載物臺配置在所述筒狀部內。

7.根據權利要求6所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述筒狀部與所述載物臺同軸配置。

8.根據權利要求7所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述第一凹部具有固定的深度和寬度。

9.根據權利要求8所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

所述第二凹部具有固定的深度和寬度。