[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201210436494.9
• 申請日: 2012-11-05
• 公開（公告）號: CN103178103A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發明（設計）人: 徐東秀;樸在勛
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L21/331
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 陳瀟瀟;南毅寧

1.一種半導體器件，該半導體器件包括：

半導體襯底，該半導體襯底具有正表面和背表面，以及具有自該半導體襯底的所述正表面后向布置的p型雜質層、低濃度n型雜質層和n型雜質層，所述n型雜質層中具有高濃度p型雜質區并且所述n型雜質層和所述高濃度p型雜質區被暴露于所述背表面；以及

深槽，該深槽在所述半導體襯底中垂直形成，該深槽在所述半導體襯底的正表面上開口并且具有與所述高濃度p型雜質區相連的底部表面。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述半導體襯底是半導體晶圓。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述p型雜質區和所述低濃度n型雜質層之間形成有n型雜質層。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述深槽具有在所述深槽的內壁上形成的氧化膜。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中所述氧化膜從所述半導體襯底的所述正表面向外突出。

6.根據權利要求4所述的半導體器件，其中所述氧化膜由二氧化硅形成。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述深槽由導電材料填充。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其中所述導電材料包括多晶硅。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述深槽和鄰近深槽之間形成柵槽，所述柵槽在所述半導體襯底的所述正表面上開口，以及

所述柵槽的底部部分與所述低濃度n型雜質層相連。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其中所述柵槽具有在所述柵槽的內壁上形成的氧化膜。

11.根據權利要求10所述的半導體器件，其中所述氧化膜從所述半導體襯底的所述正表面向外突出。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，其中所突出的氧化膜延伸至所述半導體器件的所述正表面的一部分。

13.根據權利要求10所述的半導體器件，其中所述氧化膜由二氧化硅形成。

14.根據權利要求9所述的半導體器件，其中所述柵槽由導電材料填充。

15.根據權利要求14所述的半導體器件，其中所述導電材料包括多晶硅。

16.根據權利要求9所述的半導體器件，其中高濃度p型或者n型雜質區在所述半導體襯底的所述正表面的所述柵槽的開口周圍形成。

17.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述n型雜質層被摻雜有包括V族元素在內的n型雜質。

18.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述p型雜質層和所述p型雜質區被摻雜有包括III族元素在內的p型雜質。

19.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述半導體襯底的所述正表面被涂覆充當發射極的正面金屬膜。

20.根據權利要求19所述的半導體器件，其中所述正面金屬膜由鋁或者鈦形成。

21.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述半導體襯底的所述背表面被涂覆充當集電極的背面金屬膜。

22.根據權利要求21所述的半導體器件，其中所述背面金屬膜由鎳或者銀形成。

23.一種制造半導體器件的方法，該方法包括：

準備半導體襯底，該半導體襯底具有正表面和背表面并且被摻雜低濃度n型雜質；

在所述半導體襯底中垂直地形成深槽，該深槽在所述半導體襯底的所述正表面上開口；

通過向所述深槽的底部表面中注入n型雜質離子并且對其執行熱處理來形成n型雜質層；

通過向所述深槽的所述底部表面中注入p型雜質離子并且對其執行熱處理來在所述n型雜質層內形成高濃度p型雜質區；以及

在所述半導體襯底的所述正表面上形成充當發射極的正面金屬膜。

24.根據權利要求23所述的方法，其中，在形成所述深槽的過程中，所述深槽通過刻蝕工藝形成。

25.根據權利要求23所述的方法，其中，在形成所述n型雜質層的過程中，所述熱處理在800到1200℃下執行。