[發明專利]一種耐高溫高壓PTC熱敏電阻陶瓷生產工藝無效
| 申請號: | 201210436470.3 | 申請日: | 2012-11-05 |
| 公開(公告)號: | CN103408306A | 公開(公告)日: | 2013-11-27 |
| 發明(設計)人: | 陳建良;林曉杰 | 申請(專利權)人: | 海寧永力電子陶瓷有限公司 |
| 主分類號: | C04B35/622 | 分類號: | C04B35/622;C04B35/46 |
| 代理公司: | 北京同輝知識產權代理事務所(普通合伙) 11357 | 代理人: | 趙慧 |
| 地址: | 314412 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 耐高溫 高壓 ptc 熱敏電阻 陶瓷 生產工藝 | ||
1.一種耐高溫高壓PTC熱敏電阻陶瓷生產工藝,包括如下步驟:
(1)A料的制備:
1)備料:分別取適量的BaCO3、TiO2、Y2O3、CaCO3;
2)預攪拌、過濾除鐵:將稱好的原材料投入預攪拌桶內,加入去離子水和分散劑,攪拌,經過濾除鐵后送入循環攪拌系統;
3)循環攪拌研磨、過濾除鐵:在循環攪拌桶內加入適量顆粒狀氧化鋯陶瓷球,將經過預攪拌的漿料進行循環研磨,經過濾除鐵后送入壓濾機;
4)壓濾脫水:將上述漿料用壓濾機過濾脫水;
5)煅燒合成:經脫水后的料快置于電熱隧道窯內進行煅燒合成;
(2)B料的制備:
1)備料:分別取適量的Pb3O4、TiO2、Nb2O5;
2)~5)與步驟(1)中的2)~5)相同;
(3)陶瓷的制備:
1)備料:分別取適量的:A料、B料、SiO2及助劑混和物;
2)球磨混料、過濾除鐵:將稱好的原料投入球磨桶中加入瑪瑙球、去離子水和分散劑進行球磨混料,經過濾除鐵后送入循環攪拌系統。
3)循環攪拌研磨、過濾除鐵:在循環攪拌桶內加入氧化鋯陶瓷球,進行循環研磨,過濾除鐵后打入噴霧造粒儲料桶;
4)噴霧造粒儲料桶中加入過量質量濃度為10%的PVA;
5)噴霧造粒:在漿料中加入表面活性劑并配以剪切攪拌,通過水浴加熱進料管道,控制進入噴霧塔內的漿料溫度,進行噴霧造粒。
2.根據權利要求1所述的一種耐高溫高壓PTC熱敏電阻陶瓷生產工藝,其特征在于:步驟(1)中預攪拌過程中去離子水與分散劑的質量分別為原材料量的1~1.5倍與0.3%~0.7%,攪拌時間為20~40分鐘;循環攪拌研磨過程中氧化鋯陶瓷球直徑為5mm,循環流量控制在4.5~5.0m3,研磨速度控制在180~220轉/分;研磨時間為250~350分鐘;煅燒合成時升溫速度為180~220℃/小時,煅燒高溫為1100℃±10℃,煅燒時間為150~200分鐘。
3.根據權利要求1所述的一種耐高溫高壓PTC熱敏電阻陶瓷生產工藝,其特征在于:步驟(2)循環攪拌研磨過程中循環流量控制在4.5~5.0m3,研磨速度控制在180~220轉/分;研磨時間為250~350分鐘;煅燒合成時升溫速度為160~200℃/小時,煅燒高溫為850℃±10℃,煅燒時間為220~250分鐘。
4.根據權利要求1所述的一種耐高溫高壓PTC熱敏電阻陶瓷生產工藝,其特征在于:步驟(3)中瑪瑙球、去離子水和分散劑的質量分別為原料量的1.3~1.7倍、0.6~0.8倍、0.4%~0.6%,球磨桶轉速為20~30轉/分,球磨時間280~320分鐘,漿料溫度控制在40℃~50℃;循環流量過程中循環流量控制在4.0~4.5m3,研磨速度控制在180~220轉/分;每噸料研磨時間為280~320分鐘,漿料顆粒直徑在1μm以下;PVA的過剩量控制在0.8%~1.0%;噴霧造粒過程中加入表面活性劑的質量為原料量的0.3%、進口溫度控制在330℃±10℃、出口溫度控制在120℃±10℃、壓力控制在-0.13~-0.17KPa、進入噴霧塔內的漿料溫度保持在50℃~60℃。
5.根據權利要求1所述的一種耐高溫高壓PTC熱敏電阻陶瓷生產工藝,其特征在于:所述表面活性劑為脫膜劑。
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