[發明專利]垂直型發光二極管的制造方法有效
| 申請號： | 201210436414.X | 申請日： | 2012-11-05 |
| 公開（公告）號： | CN102983232A | 公開（公告）日： | 2013-03-20 |
| 發明（設計）人： | 虞浩輝;周宇杭 | 申請（專利權）人： | 江蘇威納德照明科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/22;H01L33/10 |
| 代理公司： | 南京天翼專利代理有限責任公司 32112 | 代理人： | 黃明哲 |
| 地址： | 213342 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 垂直 發光二極管 制造 方法 | ||
1.一種垂直型發光二極管的制造方法，包括以下步驟：
（1）在襯底上采用MOCVD外延生長GaN緩沖層；
（2）利用堿性溶液對GaN緩沖層的表面進行腐蝕，從而在GaN緩沖層表面上形成納米級的鋸齒狀的所述表面粗化層；
（3）在GaN緩沖層被粗化的表面上采用MOCVD或者分子束磊晶工藝（MBE）來依次形成n型GaN層、多量子阱發光層（MQW）、p型AlGaN層、p型GaN層；
（4）在p型GaN層表面上旋涂光刻膠，利用光刻工藝對p型GaN層表面進行光刻，以便在p型GaN層的兩側形成凹槽；
（5）利用濺鍍工藝或者電子束蒸發工藝在p型GaN層兩側的凹槽上形成第一反射層和第二反射層；
（6）對濺鍍第一反射層和第二反射層后的p型GaN層表面進行化學機械拋光（CMP）工藝，以使得第一反射層、第二反射層與p型GaN層的表面平坦化；
（7）在p型GaN層表面上采用濺鍍工藝形成透明電極層；
（8）在襯底的下表面采用濺鍍工藝形成所述透明歐姆接觸金屬層；
（9）將完成層疊結構的垂直型發光二極管浸泡在堿性溶液中，以便將該層疊結構的所有表面粗化，形成所述表面粗化層；
（10）在透明歐姆接觸金屬層的下表面形成n型電極，在透明電極層的上表面形成p型電極。
2.如權利要求1所述的垂直型發光二極管的制造方法，其特征在于：
所述襯底的材料為藍寶石、碳化硅、硫化鋅或者砷化鎵。
3.如權利要求1或2所述的垂直型發光二極管的制造方法，其特征在于：
所述表面粗化層還可以利用等離子體蝕刻機對GaN緩沖層的表面進行干法蝕刻或者通過先浸泡在堿性溶液中進行濕法蝕刻、然后再利用等離子體蝕刻機進行干法蝕刻相結合來完成。
4.如權利要求1-3任意之一所述的垂直型發光二極管的制造方法，其特征在于：
所述第一反射層和所述第二反射層的材料為Al/Ag合金金屬反射層、AlAs/AlxGa1-xAs或AlInP/(AlxGa1-x)yIn1yP分布布拉格反射層（DBR）。
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