[發明專利]一種陣列基板及像素的驅動方法

有效

• 申請號: 201210436331.0
• 申請日: 2012-11-05
• 公開（公告）號: CN102929054A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發明（設計）人: 嚴允晟;崔賢植;徐智強;李會
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/133;G09G3/36
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 黃燦;安利霞

技術領域

本發明涉及液晶顯示領域，特別是指一種陣列基板及像素的驅動方法。

背景技術

在顯示技術領域，高級超維場轉換技術（ADvanced?Super?Dimension?Switch）可以提高TFT-LCD產品的畫面品質，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋（push?Mura）等優點。因此被廣泛應用于各種顯示產品中，高級超維場轉換技術是平面電場寬視角核心技術，即通過同一平面內狹縫電極邊緣所產生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產生的電場形成多維電場，使液晶盒內狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場轉換技術可以提高TFT-LCD產品的畫面品質。而TFS（Triple?field?switching）模式為在ADS技術的進一步改進，具有像素電容小，且透過率高的優點，TFS模式也可以認為是New?ADS模式，即新的ADS模式。TFS模式的像素區域中，一個像素區域是由一根柵線（Gate）和兩根數據線（Data）交叉形成的，即1G2D結構；通常情況下，像素區域的數據線與源極連接，數據線由驅動電路施加電壓，并通過TFT開關，向像素電極傳遞信號；然而，該新的TFS模式下的陣列基板，兩根數據線會分別與像素電極產生耦合電容，對于兩根同樣電壓的數據線來講，數據線與像素電極之間的耦合電容就是該兩根數據線分別與像素電極之間的耦合電容的和，由于該耦合電容的存在，使從數據線傳遞給像素電極的信號有一定的延遲，從而導致畫面顯示出現問題。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種陣列基板及像素的驅動方法，可以避免由于數據線與像素電極之間的耦合電容而產生的跳變電壓導致畫面顯示不均勻的現象。

為解決上述技術問題，本發明的實施例提供一種陣列基板，包括：柵線和數據線，一條柵線和兩條數據線限定了像素區域，并在交叉處形成兩個薄膜晶體管，所述像素區域內具有間隔排列的像素電極；其中，兩個薄膜晶體管中第一薄膜晶體管與第一像素電極連接，第二薄膜晶體管與第二像素電極連接；通過所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管分別向所述第一像素電極和所述第二像素電極上施加極性相反，大小相等的電壓。

其中，所述第一像素電極設置在所述兩條數據線上方或者所述第二像素電極設置在所述兩條數據線上方，且所述第一像素電極或者所述第二像素電極覆蓋在所述兩條數據線上方正投影的位置。

其中，所述第一像素電極或者第二像素電極的寬度大于所述第一數據線或者所述第二數據線的寬度。

其中，所述第一像素電極或者第二像素電極的寬度比所述第一數據線或者所述第二數據線的寬度寬6~12μm。

其中，與所述陣列基板對盒設置的彩膜基板上還設置有公共電極。

其中，所述彩膜基板上，相對于所述數據線上方的對應位置的黑矩陣的寬度為12~26μm。

本發明的實施例還提供一種如上所述的陣列基板的像素的驅動方法，包括：

步驟1，分別向第一像素電極和第二像素電極上施加極性相反，大小相等的電壓。

其中，所述步驟1包括：

步驟11，獲取第一像素電極和第二像素電極顯示用的第一像素電壓和第二像素電壓，所述第一像素電壓和第二像素電壓大小相等，極性相反；

步驟12，確定數據線與像素電極產生的耦合電容；

步驟13，依據所述第一像素電壓和所述第二像素電壓以及所述耦合電容，確定第一數據線和第二數據線需要輸入的第一數據線電壓和第二數據線電壓；

步驟14，通過驅動電路向第一數據線和第二數據線分別輸出步驟13確定的第一數據線電壓和第二數據線電壓；

步驟15，根據所述第一數據線電壓和所述第二數據線電壓，通過所述像素區域的薄膜晶體管TFT驅動所述第一像素電極和所述第二像素電極。

其中，所述步驟12包括：

步驟121，根據第一數據線與所述第一像素電極之間的距離以及所述第一像素電極的寬度，確定所述第一數據線與所述像素區域的第一像素電極之間的第一耦合電容；

步驟122，根據第二數據線與所述第二像素電極之間的距離以及所述第二像素電極的寬度，確定所述第二數據線與所述像素區域的第二像素電極之間的第二耦合電容。

其中，所述步驟121或者步驟122中，所述第一耦合電容和第二耦合電容通過以下公式確定：