[發明專利]改善SONOS器件自對準接觸孔漏電的方法

有效

• 申請號: 201210436223.3
• 申請日: 2012-11-05
• 公開（公告）號: CN103811406A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發明（設計）人: 肖澤龍;陸連;袁苑
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/311
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 高月紅

1.一種改善SONOS器件自對準接觸孔漏電的方法，其特征在于，包括步驟：

1）進行SONOS器件自對準接觸孔刻蝕；

2）在接觸孔的側壁和底部以及SONOS器件中的未摻雜氧化膜上方，成長氮化硅膜；

3）刻蝕氮化硅膜，使只在接觸孔側壁上保留氮化硅膜；

4）清洗，得到SONOS器件自對準接觸孔。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟2）中，成長氮化硅膜的工藝為低壓成長氮化硅膜工藝；其中，工藝參數為：低壓的壓力范圍為0.008Kpa～0.0266Kpa，溫度為600～800℃，氮化硅膜的厚度為100～300埃。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟3）中，刻蝕的方法為干法刻蝕，選用選擇比為2～5的氮化硅/氧化硅選擇比；

其中，該刻蝕的工藝參數包括：射頻功率為100～300瓦，腔體壓力為20～100毫托，靜電吸盤背部壓力為0～20托，四氟乙烷流量為0～50sccm，氬氣流量為0～600sccm，三氟甲烷流量為0～20sccm，氧氣流量為0～20sccm，一氧化碳流量為0～200sccm。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟3）中，保留的氮化硅膜的厚度為20～80埃。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟4）中，清洗的方法為采用濕法，清洗去除刻蝕產生的聚合物。