[發明專利]功率用半導體裝置

無效

• 申請號: 201210436214.4
• 申請日: 2012-11-05
• 公開（公告）號: CN103489864A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 山下浩明;泉沢優;小野升太郎;大田浩史
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L29/78
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 戚宏梅;楊謙

1.一種功率用半導體裝置，其中，具備：

第一導電型的第一半導體層；

第二導電型的第二半導體層，設置在上述第一半導體層之上；

第一導電型的第三半導體層，設置在上述第二半導體層之上；

第四半導體層，為第一導電型，與上述第一半導體層接觸，并進入上述第二半導體層內，通過上述第二半導體層而與上述第三半導體層隔離；

第五半導體層，設置在上述第四半導體層之上，與上述第三半導體層及上述第四半導體層接觸，有效雜質濃度與上述第二半導體層的有效雜質濃度不同；

第一柵電極，貫穿上述第三半導體層及上述第二半導體層而到達上述第一半導體層內；

第一柵絕緣膜，設置在上述第一柵電極與上述第一半導體層、上述第二半導體層、上述第三半導體層之間；

第二柵電極，至少配置在上述第五半導體層的正上方區域；以及

第二柵絕緣膜，設置在上述第二柵電極與上述第五半導體層之間。

2.一種功率用半導體裝置，其中，具備：

第一導電型的第一半導體層；

第二導電型的第二半導體層，設置在上述第一半導體層之上；

第一導電型的第三半導體層，設置在上述第二半導體層之上；

柵電極；以及

柵絕緣膜，設置在上述柵電極與上述第一半導體層、上述第二半導體層、上述第三半導體層之間；

通過上述第一半導體層、上述第二半導體層、上述第三半導體層、上述柵電極及上述柵絕緣膜，形成場效應型晶體管；

第一區域中的上述晶體管的閾值比第二區域中的上述晶體管的閾值高。

3.如權利要求2所述的功率用半導體裝置，其中，

上述第一區域中的上述晶體管的溝道長度比上述第二區域中的上述晶體管的溝道長度更長。

4.如權利要求2所述的功率用半導體裝置，其中，

上述第一區域中的上述晶體管的溝道區域的有效雜質濃度比上述第二區域中的上述晶體管的溝道區域的有效雜質濃度高。

5.一種功率用半導體裝置，其中，具備：

第一導電型的第一半導體層；

第二導電型的第二半導體層，設置在上述第一半導體層之上；

第一導電型的第三半導體層，設置在上述第二半導體層之上；

柵電極，貫穿上述第三半導體層及上述第二半導體層而到達上述第一半導體層內；以及

柵絕緣膜，設置在上述柵電極與上述第一半導體層、上述第二半導體層、上述第三半導體層之間；

上述第二半導體層的配置在第一區域中的部分比上述第二半導體層的配置在第二區域中的部分厚。

6.一種功率用半導體裝置，其中，具備：

第一導電型的第一半導體層；

第二導電型的第二半導體層，設置在上述第一半導體層之上；

第一導電型的第三半導體層，設置在上述第二半導體層之上；

第四半導體層，為第一導電型，與上述第一半導體層接觸，并貫穿上述第二半導體層，通過上述第二半導體層而與上述第三半導體層隔離；

柵電極，至少配置在上述第二半導體層的配置在上述第三半導體層與上述第四半導體層之間的部分的正上方區域；以及

柵絕緣膜，設置在上述柵電極與上述第二半導體層之間；

第一區域中的上述第三半導體層與上述第四半導體層之間的距離比第二區域中的上述第三半導體層與上述第四半導體層之間的距離長。

7.如權利要求6所述的功率用半導體裝置，其中，

上述柵電極形成有開口部；

上述第三半導體層沿著上述開口部的端緣配置；

上述第一區域中的上述開口部的端緣與上述第四半導體層的端緣之間的距離比上述第二區域中的上述開口部的端緣與上述第四半導體層的端緣之間的距離長。

8.如權利要求7所述的功率用半導體裝置，其中，

上述開口部的形狀是橢圓形或者八邊形。