[發明專利]陣列基板及其制造方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201210436095.2
• 申請日: 2012-11-05
• 公開（公告）號: CN102931138A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發明（設計）人: 孫雙
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/02;H01L29/786
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本發明涉及顯示領域，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)由于具有體積小、功耗低、無輻射等特點而備受關注，在平板顯示領域中占據了主導地位，被廣泛的應用到各行各業中。

TFT-LCD根據驅動液晶的電場方向可分為垂直電場型與水平電場型。水平電場型又分為高級超維場轉換(Advanced?Super?Dimension?Switch，ADS)模式和共平面切換(IPS)模式。其中，水平電場模式TFT-LCD，尤其是ADS模式TFT-LCD具有寬視角，開口率高等優點而被廣泛的應用。高級超維場轉換技術(ADvanced?Super?Dimension?Switch，AD-SDS，簡稱ADS)，其核心技術特性描述為：通過同一平面內狹縫電極邊緣所產生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產生的電場形成多維電場，使液晶盒內狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場轉換技術可以提高TFT-LCD產品的畫面品質，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push?Mura)等優點。

然而ADS模式陣列基板制造時構圖次數比較多，量產中一般需采用五次構圖工藝。如圖1所示的一種現有ADS模式的陣列基板，具體制備過程如下：通過第一次構圖工藝在基板1上形成公共電極8的圖形；通過第二次構圖工藝形成柵極10及柵線圖形；形成柵極絕緣層12，再通過第三次構圖工藝形成有源層(半導體層3和摻雜半導體層4)、源極5、漏極6、數據線和TFT溝道的圖形；通過第四次構圖工藝形成鈍化層7圖形；通過第五次構圖工藝形成像素電極2的圖形。因此，完成此ADS模式陣列基板的制備需要使用五次掩模工藝，而掩模板造價昂貴，在液晶面板成本中占據很大比例，使得成本上升。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于提供一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，相對現有技術，能夠減少掩模板的使用數量，從而提高效率，降低成本。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

一種陣列基板的制造方法，包括：

a、在基板上依次形成第一透明導電薄膜、半導體薄膜、摻雜半導體薄膜和漏源金屬薄膜，涂敷光刻膠并曝光形成四個光刻膠厚度不一的區域，再分區域刻蝕形成第一電極、TFT溝道、數據線、源極和漏極，其中，

對應第一電極所在的第一區域刻蝕至露出第一透明導電薄膜，對應TFT溝道所在的第二區域刻蝕至露出所述半導體薄膜，對應數據線、源極和漏極所在的第三區域不進行刻蝕，除上述圖形之外的第四區域刻蝕掉全部膜層，露出所述基板；

b、形成絕緣層薄膜，采用構圖工藝分別在所述第三區域的所述漏極上和所述第一區域的所述第一電極上形成過孔；

c、依次形成第二透明導電薄膜和柵極金屬薄膜，涂敷光刻膠并曝光形成光刻膠厚度不一的E、F和G區域，再分區域刻蝕形成柵線、柵極、公共電極線、第二電極和連接所述漏極及像素電極的連接線，其中，

對應所述柵線、柵極和公共電極線所在的E區域不進行刻蝕，其中所述柵極位于TFT溝道所在的第三區域之上，對應所述第二電極、連接線所在的F區域刻蝕掉所述柵極金屬薄膜，露出所述第二透明導電薄膜，除所述E、F區域之外的G區域，刻蝕掉所述第二透明導電薄膜和所述柵極金屬薄膜，露出所述絕緣層薄膜。

進一步地，步驟a具體包括：

a1、形成第一透明導電薄膜、半導體薄膜、摻雜半導體薄膜和漏源金屬薄膜，涂敷光刻膠并曝光形成四個區域，其中，第四區域光刻膠完全去除，第一區域光刻膠的厚度保留1/3，第二區域光刻膠的厚度保留2/3，第三區域光刻膠完全保留；

a2、刻蝕掉所述第四區域的全部膜層，露出所述基板；

a3、對光刻膠進行灰化處理，使所述第二區域和所述第三區域的光刻膠變薄，所述第一區域的光刻膠完全去除；

a4、刻蝕所述第一區域直至露出所述第一透明導電薄膜，所述第一區域形成所述第一電極；

a5、再次對光刻膠進行灰化處理，使所述第三區域光刻膠變薄，所述第二區域的光刻膠完全去除；

a6、刻蝕所述第二區域直至露出所述半導體薄膜，然后去除所述第三區域的光刻膠，所述第三區域形成所述數據線、源極和漏極。

進一步地，步驟c具體包括：