[發(fā)明專(zhuān)利]邊緣場(chǎng)切換液晶顯示器裝置及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210436085.9
• 申請(qǐng)日: 2012-11-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103091914A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 南敬真;樸承烈;孫庚模;李智惠
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 樂(lè)金顯示有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G02F1/1362
• 分類(lèi)號(hào): G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333;G02F1/1343;H01L21/77
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國(guó)

1.一種制造邊緣場(chǎng)切換液晶顯示器裝置的方法，所述方法包括：

提供被劃分為像素部和焊盤(pán)部的第一基板；

在所述第一基板的像素部中形成柵極和柵極線，并在所述第一基板的焊盤(pán)部中形成焊盤(pán)線；

在上面形成有所述柵極、所述柵極線和所述焊盤(pán)線的第一基板上形成柵極絕緣層；

在上面形成有所述柵極絕緣層的柵極的上部形成有源層；

在上面形成有所述有源層的第一基板的有源層的上部形成源極和漏極，并形成與所述柵極線交叉以限定像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線；

在上面形成有所述源極、所述漏極和所述數(shù)據(jù)線的第一基板上形成第一保護(hù)膜；

在上面形成有所述第一保護(hù)膜的第一基板的像素部中形成由有機(jī)絕緣層形成的第二保護(hù)膜；

在上面形成有所述第二保護(hù)膜的第一基板的像素部中形成第一電極；

通過(guò)調(diào)整氣體流速，在上面形成有所述第一電極的第一基板上形成第三保護(hù)膜，使得所述第三保護(hù)膜的上層具有比其下層強(qiáng)的多孔性；

選擇性地蝕刻所述柵極絕緣層、所述第一保護(hù)膜和所述第三保護(hù)膜，以形成暴露所述焊盤(pán)線的焊盤(pán)部接觸孔；

在上面形成有所述第三保護(hù)膜的第一基板的像素部中形成第二電極，并在所述第一基板的焊盤(pán)部中形成通過(guò)所述焊盤(pán)部接觸孔與所述焊盤(pán)線電連接的焊盤(pán)電極；以及

接合所述第一基板和第二基板。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二保護(hù)膜由諸如感光壓克力這樣的有機(jī)絕緣層形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述第二保護(hù)膜由包括諸如丙烯酸酯、聚酰亞胺或環(huán)氧樹(shù)脂這樣的成分的有機(jī)絕緣層形成。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中在所述第一基板的像素部中形成所述第二保護(hù)膜之后，通過(guò)固化工藝固化所述第二保護(hù)膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述第三保護(hù)膜由諸如硅氮化物膜、硅氧化物膜這樣的無(wú)機(jī)絕緣層形成，且以低于所述固化工藝的處理溫度形成所述第三保護(hù)膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中通過(guò)將SiH₄氣體與NH₃氣體的比率從3：1提高到4：1并將N₂氣體的流速?gòu)?00％降低到小于100％，形成所述第三保護(hù)膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中與所述柵極絕緣層與所述第一保護(hù)膜和第三保護(hù)膜之間的不連續(xù)沉積表面相比，將所述第三保護(hù)膜的上層形成為使得Si-H/Si-N的鍵合比為80％或更大，以減少所述第三保護(hù)膜的上層的相關(guān)Si-N鍵。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中將所述第三保護(hù)膜形成為使得所述第三保護(hù)膜的上層的厚度相對(duì)于所述第三保護(hù)膜的總厚度為5％到20％。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中將作為像素電極的所述第二電極形成為在每個(gè)像素區(qū)域中具有包含多個(gè)狹縫的盒狀，將作為公共電極的所述第一電極形成為在除了所述漏極與所述像素電極之間的接觸區(qū)域之外的整個(gè)像素部中的單個(gè)圖案。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中將作為像素電極的所述第一電極形成為在每個(gè)像素區(qū)域中具有盒狀，將作為公共電極的所述第二電極形成為在除了所述漏極與所述像素電極之間的接觸區(qū)域之外的整個(gè)像素部中的單個(gè)圖案。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中通過(guò)一道或兩道干蝕刻工藝選擇性地蝕刻所述柵極絕緣層、所述第一保護(hù)膜和所述第三保護(hù)膜，形成暴露所述焊盤(pán)線的焊盤(pán)部接觸孔。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述焊盤(pán)部包括數(shù)據(jù)焊盤(pán)部和柵極焊盤(pán)部，所述焊盤(pán)線包括數(shù)據(jù)焊盤(pán)線和柵極焊盤(pán)線。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述焊盤(pán)部接觸孔包括暴露所述數(shù)據(jù)焊盤(pán)線和所述柵極焊盤(pán)線的數(shù)據(jù)焊盤(pán)部接觸孔和柵極焊盤(pán)部接觸孔。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述焊盤(pán)電極包括分別通過(guò)所述數(shù)據(jù)焊盤(pán)部接觸孔和所述柵極焊盤(pán)部接觸孔與所述數(shù)據(jù)焊盤(pán)線和所述柵極焊盤(pán)線電連接的數(shù)據(jù)焊盤(pán)電極和柵極焊盤(pán)電極。