[發明專利]TEM樣品的制備方法有效
| 申請號： | 201210435237.3 | 申請日： | 2012-11-02 |
| 公開（公告）號： | CN103792114A | 公開（公告）日： | 2014-05-14 |
| 發明（設計）人： | 段淑卿;陳柳;齊瑞娟;李明 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | G01N1/28 | 分類號： | G01N1/28;G01N23/22 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | tem 樣品 制備 方法 | ||
1.一種TEM樣品的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供一晶片，在所述晶片上表面形成保護層；
在所述保護層兩側形成兩個洞；
在所述兩個洞的底部分別形成開口；
將所述保護層覆蓋的區域劃分為多個相互間隔的子區域，在所述兩個洞中分別對每個子區域的晶片側壁細拋；
切斷每個子區域與所述晶片的連接部分，形成多個TEM樣品。
2.如權利要求1所述的TEM樣品的制備方法，其特征在于，所述保護層的材質為鉑和/或鎢。
3.如權利要求1所述的TEM樣品的制備方法，其特征在于，所述保護層的形狀為長條狀。
4.如權利要求3所述的TEM樣品的制備方法，其特征在于，所述保護層的長度為5~15μm。
5.如權利要求3所述的TEM樣品的制備方法，其特征在于，所述保護層的寬度為0.5~5μm。
6.如權利要求1所述的TEM樣品的制備方法，其特征在于，所述洞的長度至少大于所述保護層的長度。
7.如權利要求1或6所述的TEM樣品的制備方法，其特征在于，所述洞的寬度3~10μm。
8.如權利要求1所述的TEM樣品的制備方法，其特征在于，相鄰兩個子區域的間隔為0.5~2μm。
9.如權利要求1所述的TEM樣品的制備方法，其特征在于，所述TEM樣品的厚度小于0.1μm。
10.如權利要求1所述的TEM樣品的制備方法，其特征在于，細拋后的相鄰兩個字區域的同側側壁不在同一條直線上。
11.如權利要求1所述的TEM樣品的制備方法，其特征在于，細拋后的相鄰兩個字區域的同側側壁在同一條直線上。
12.如權利要求1所述的TEM樣品的制備方法，其特征在于，所述開口為U型開口。
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