[發(fā)明專利]溝槽結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210435227.X
• 申請日: 2006-12-11
• 公開（公告）號: CN102903740A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鳥居克行
• 申請（專利權(quán)）人: 三墾電氣株式會社
• 主分類號: H01L29/08
• 分類號: H01L29/08;H01L29/78;H01L29/739
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 毛立群;王忠忠

1.一種具有溝槽結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有：

半導(dǎo)體襯底，其具有：彼此對置的一個主面以及另一個主面、內(nèi)側(cè)溝槽以及外側(cè)溝槽，該內(nèi)側(cè)溝槽在所述一個主面的內(nèi)側(cè)部分從所述一個主面向所述另一個主面延伸，該外側(cè)溝槽在比所述一個主面的所述內(nèi)側(cè)部分更靠近外側(cè)的部分從所述一個主面向所述另一個主面延伸；

第一半導(dǎo)體區(qū)域，形成在所述半導(dǎo)體襯底中，與所述內(nèi)側(cè)溝槽相鄰配置并具有在所述半導(dǎo)體襯底的所述一個主面露出的表面，并且具有N型的導(dǎo)電型；

第二半導(dǎo)體區(qū)域，形成在所述半導(dǎo)體襯底中，與所述第一半導(dǎo)體區(qū)域相鄰，并在比所述第一半導(dǎo)體區(qū)域深的位置與所述內(nèi)側(cè)溝槽以及所述外側(cè)溝槽相鄰，并具有在所述半導(dǎo)體襯底的所述一個主面露出的表面，并且具有P型的導(dǎo)電型；

第三半導(dǎo)體區(qū)域，形成在所述半導(dǎo)體襯底中，與所述第二半導(dǎo)體區(qū)域和所述內(nèi)側(cè)溝槽這兩者相鄰，并以所述半導(dǎo)體襯底的所述一個主面為基準(zhǔn)形成得比所述內(nèi)側(cè)溝槽深，并且僅限定形成在所述內(nèi)側(cè)部分且具有N型的導(dǎo)電型，并且具有比所述第二半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度低的雜質(zhì)濃度；

第四半導(dǎo)體區(qū)域，形成在所述半導(dǎo)體襯底中，與所述第二半導(dǎo)體區(qū)域以及所述第三半導(dǎo)體區(qū)域相鄰，并以所述半導(dǎo)體襯底的所述一個主面為基準(zhǔn)形成得比所述外側(cè)溝槽深，并具有在所述外側(cè)溝槽的外側(cè)露出到所述半導(dǎo)體襯底的所述一個主面的表面，具有N型的導(dǎo)電型且具有比所述第一半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度低的雜質(zhì)濃度，并且具有比所述第三半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度低的雜質(zhì)濃度；

第五半導(dǎo)體區(qū)域，配置在所述第四半導(dǎo)體區(qū)域與所述半導(dǎo)體襯底的所述另一個主面之間且具有P型的導(dǎo)電型；

絕緣膜，設(shè)置在所述內(nèi)側(cè)溝槽以及所述外側(cè)溝槽的各個壁面；

溝槽導(dǎo)電體，配置在所述內(nèi)側(cè)溝槽以及所述外側(cè)溝槽的各個中，并且隔著所述絕緣膜與所述內(nèi)側(cè)溝槽以及所述外側(cè)溝槽的各個壁面對置；

第一主電極，與所述第一半導(dǎo)體區(qū)域和第二半導(dǎo)體區(qū)域電連接；

第二主電極，直接或者通過其他半導(dǎo)體區(qū)域與所述第五半導(dǎo)體區(qū)域電連接；

柵電極，與所述溝槽導(dǎo)電體電連接，

所述外側(cè)溝槽為了得到所述半導(dǎo)體襯底的柵極焊盤電極形成區(qū)域而具有凹狀部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有溝槽結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

還具有：第五半導(dǎo)體區(qū)域，其配置在所述第四半導(dǎo)體區(qū)域與所述半導(dǎo)體襯底的所述另一個主面之間且具有P型的導(dǎo)電型，并且具有比所述第二半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度高的雜質(zhì)濃度。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有溝槽結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

還具有：第六半導(dǎo)體區(qū)域，其配置在所述第四半導(dǎo)體區(qū)域與所述第五半導(dǎo)體區(qū)域之間且具有N型的導(dǎo)電型，并且具有比所述第四半導(dǎo)體區(qū)域的雜質(zhì)濃度高的雜質(zhì)濃度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有溝槽結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

進一步，所述內(nèi)側(cè)溝槽條紋狀地配置在所述一個主面，所述外側(cè)溝槽相對所述內(nèi)側(cè)溝槽平行地延伸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有溝槽結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

進一步，所述內(nèi)側(cè)溝槽的相互間隔以及所述外側(cè)溝槽與所述內(nèi)側(cè)溝槽的間隔分別取為相同。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有溝槽結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

進一步，所述內(nèi)側(cè)溝槽以及所述外側(cè)溝槽的深度彼此相同。