[發明專利]一種以Sn(IV)的無機配合物誘導合成納米晶的新方法

無效

• 申請號: 201210435108.4
• 申請日: 2012-11-01
• 公開（公告）號: CN102976288A
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發明（設計）人: 李林松;李曉民;申懷彬
• 申請（專利權）人: 河南大學
• 主分類號: C01B19/04
• 分類號: C01B19/04;C01G3/12;B82Y30/00;B82Y40/00
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1.以Sn(IV)的無機配合物作為表面活性劑條件下誘導合成形貌、尺寸、以及組裝行為可控的納米晶的新方法，其特點在于：Sn(IV)?的各種無機配合物溶解于有機溶劑中作為無機表面活性劑前軀體，通過在上述制備的無機表面活性劑前軀體中直接添加合成納米晶所需的前驅體合成納米晶或者添加已經合成好的納米晶實現納米晶形貌、尺寸和自組裝行為控制。

2.根據權利要求書1所述的以無機配合物誘導合成形貌、尺寸、以及組裝行為可控的納米晶的方法，其中無機配合物包括Sn、In、Ge、Ga等形成的無機配體等，例如：Sn₂S₆^4-、Sn₂Se₆^4-、Sn₂Te₆^4-、In₂Se₆^4-等。

3.根據權利要求書1所述的以無機配合物誘導合成形貌、尺寸、以及組裝行為可控的納米晶的方法，其特點在于形成這種無機配體表面活性劑的溶劑為含過量Se或者S元素的有機溶劑，如十二烷基硫醇、Se的十八烯溶液、Se的液體石蠟溶液等。

4.根據權利要求書1所述的以無機配合物誘導合成形貌、尺寸、以及組裝行為可控的納米晶的方法，其特點在于形成這種無機配體表面活性劑的溫度在20-300℃。

5.根據權利要求書1所述的以無機配合物誘導合成形貌、尺寸、以及組裝行為可控的納米晶的方法，其特點在于在形成的無機表面活性劑溶液中加入的合成納米晶所需前驅體包括各種金屬的有機鹽前驅體，如Cu，Ag，Au，Zn，Cd，Pb，Pt，Pd等的有機鹽溶液。

6.根據權利要求書1所述的以無機配合物誘導合成形貌、尺寸、以及組裝行為可控的納米晶的方法，其特點在于形成的無機表面活性劑溶液中添加的已經合成好的納米晶包括：一元，二元，三元和多元納米晶，如Cu、Ag、Au、Pt、等一元納米晶；Cu₂S、Cu_2-xSe、Cu_2-xTe、PbS、PbSe、PbTe、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、InP等二元納米晶；Zn_xCd_1-xS，Zn_xCd_1-xSe，CuInSe₂，CuInS₂,等三元納米晶，以及CuGa_xIn_1-xS₂、CuGa_xIn_1-xSe₂、?Cu₂ZnSnSe₄、Cu₂ZnSnS₄等多元納米晶。

7.根據權利要求書1所述的以Sn(IV)的無機配合物誘導合成形貌、尺寸、以及組裝行為可控的納米晶的方法，其特點在于Sn(IV)等的無機配合物在納米晶的合成當中可以對納米晶的形貌、尺寸、以及組裝行為進行調控。