[發明專利]具有四方環狀結構反射層氮化鎵基發光二極管有效
| 申請號： | 201210434769.5 | 申請日： | 2012-11-05 |
| 公開（公告）號： | CN102983231A | 公開（公告）日： | 2013-03-20 |
| 發明（設計）人： | 虞浩輝;周宇杭 | 申請（專利權）人： | 江蘇威納德照明科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/22;H01L33/10 |
| 代理公司： | 南京天翼專利代理有限責任公司 32112 | 代理人： | 黃明哲 |
| 地址： | 213342 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 四方 環狀 結構 反射層 氮化 發光二極管 | ||
1.一種具有四方環狀結構反射層的發光二極管的制造方法，包括以下步驟：?
（1）在襯底上采用MOCVD外延生長GaN緩沖層，所述襯底的材料為藍寶石、碳化硅、硫化鋅或者砷化鎵；?
（2）利用堿性溶液對GaN緩沖層的表面進行腐蝕，從而在GaN緩沖層表面上形成表面粗化層；?
（3）在GaN緩沖層被粗化的表面上采用MOCVD或者分子束磊晶工藝（MBE）來依次形成n型GaN層、多量子阱發光層（MQW）、p型AlGaN層以及p型GaN層的層疊結構；?
（4）在p型GaN層的表面旋涂光刻膠，顯影后露出其部分表面，此后采用等離子體對上述層疊結構進行干法蝕刻，直至蝕刻到n型GaN層的一部分為止；優選為保留n型GaN層的厚度的1/2；干法蝕刻后形成圖2所示的臺階結構；?
（5）在p型GaN層表面上進行光刻工藝，以便在p型GaN層的表面四周形成四方環形凹槽；?
（6）采用濺鍍工藝或者電子束蒸發工藝在p型GaN層四周的凹槽上形成反射層；?
（7）對濺鍍反射層后的p型GaN層表面進行化學機械拋光（CMP）工藝，以使得反射層與p型GaN層的表面平坦化；?
（8）在p型GaN層表面上采用濺鍍工藝形成透明電極層；?
（9）將完成臺階結構的氮化鎵基發光二極管浸泡在堿性溶液中，以便形成表面粗化層；?
（10）對襯底進行減薄，優選將襯底的厚度的1/2至2/3去除；此后在襯底的下方采用濺鍍工藝形成金屬反射層；?
（11）在n型GaN層的臺階表面形成n型電極，在透明電極層的上表面形成p型電極。?
2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于：?
所述反射層的材料可以是Al/Ag合金金屬反射層，也可以是AlAs/AlxGa1-xAs或AlInP/(AlxGa1-x)yIn1-yP分布布拉格反射層（DBR）。?
3.如權利要求1或2所述的制造方法，其特征在于：?
所述表面粗化層都為納米級鋸齒狀粗化層。?
4.如權利要求1-3任意之一所述的制造方法，其特征在于：?
所述反射層的外環與所述p型GaN層的側邊重合。?
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