[發明專利]一種LED芯片的制造方法

無效

• 申請號: 201210434744.5
• 申請日: 2012-11-05
• 公開（公告）號: CN103050587A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發明（設計）人: 虞浩輝;周宇杭
• 申請（專利權）人: 江蘇威納德照明科技有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司 32112
• 代理人: 黃明哲

1.一種LED芯片的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

（1）、在藍寶石襯底上制作掩蔽層，所述掩蔽層為SiO₂、Si₃N₄或Ni、Ti、Cr、Al、Ag、Pt中的一種或多種金屬和Au的組合，掩蔽層的厚度為5～10微米；

（2）、在所述掩蔽層上制作光刻膠圖案，所述光刻膠圖案在掩蔽層表面形成多個單元，各單元之間有部分掩蔽層露出；

（3）、在露出的掩蔽層上進行激光刻線，劃至所述藍寶石襯底，形成釋放應力線，該釋放應力線將藍寶石襯底劃分為多個芯片單元；激光刻線所采用的激光波長為200～400nm，釋放應力線寬度為2～15微米，劃線深度為15～50微米；

（4）、去除所述光刻膠圖案；

（5）、以所述掩蔽層作為保護層，使用磷酸、硫酸的混合液對釋放應力線側壁進行腐蝕，清除劃線生成物；

（6）、使用清洗液去除所述掩蔽層，清洗液為BOE溶液、氫氟酸、硝酸、濃硫酸、王水中一種或其混合物；

（7）、在上述步驟得到的表面具有釋放應力線的藍寶石襯底上生長GaN基半導體外延層，該半導體外延層至少包括N型半導體層、位于所述N型半導體層之上的有源層，以及位于所述有源層之上的P型半導體層；

（8）、對每個芯片單元進行刻蝕，以露出部分所述N型GaN層，然后在露出的N型GaN層上制作N電極、在P型GaN層上制作透明電極和P電極；

（9）在芯片表面制作鈍化層，并露出N電極和P電極得到LED晶片；對LED晶片進行背面研磨減薄，再裂片得到LED芯片。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩蔽層為SiO₂，其厚度為6～8微米。

3.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，步驟（3）中的激光波長為355nm，釋放應力線寬度為6微米，劃線深度為25微米。

4.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，步驟（4）中采用去膜劑清洗，清洗時間為10～20分鐘。

5.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，步驟（5）中磷酸、硫酸的體積比為1：3，腐蝕溫度為300～350℃，腐蝕時間為50～60分鐘。

6.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，步驟（7）中的制備半導體外延層時，優選金屬有機化學氣相沉積、分子束外延、氫化物氣相外延等技術。