[發明專利]氧化硅用研磨劑、其用途以及研磨方法

有效

• 申請號: 201210434219.3
• 申請日: 2006-11-09
• 公開（公告）號: CN102965025A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 西山雅也;深澤正人;阿久津利明;榎本和宏;蘆澤寅之助;大槻裕人
• 申請（專利權）人: 日立化成工業株式會社
• 主分類號: C09G1/02
• 分類號: C09G1/02;C09K3/14;B24B37/04;H01L21/304
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 金鮮英;王未東

1.一種氧化硅用研磨劑，其為用于研磨多晶硅上的氧化硅膜的研磨劑，包括研磨粒、多晶硅研磨抑制劑及水，所述多晶硅研磨抑制劑包括從聚乙烯吡咯烷酮或者含有乙烯吡咯烷酮的共聚物選出的聚乙烯吡咯烷酮類。

2.根據權利要求1所述的氧化硅用研磨劑，其中，所述聚乙烯吡咯烷酮類的含量為0.005~5質量%。

3.根據權利要求1所述的氧化硅用研磨劑，其中，所述聚乙烯吡咯烷酮類的重量平均分子量為10,000~1,200,000。

4.根據權利要求1所述的氧化硅用研磨劑，其pH值為5.0~12.0。

5.根據權利要求1所述的氧化硅用研磨劑，其pH值為6.0~7.0。

6.根據權利要求1所述的氧化硅用研磨劑，其進一步包括聚丙烯酸、聚丙烯酸鹽和含有丙烯酸鹽單元的共聚物中的至少任一種。

7.根據權利要求6所述的氧化硅用研磨劑，其中聚丙烯酸、聚丙烯酸鹽和含有丙烯酸鹽單元的共聚物中的至少一種的含量為0.01~5質量%。

8.根據權利要求1所述的氧化硅用研磨劑，其中，所述研磨粒包含氧化鈰。

9.根據權利要求1所述的氧化硅用研磨劑，其進一步含有研磨粒的分散劑。

10.根據權利要求9所述的氧化硅用研磨劑，其中，所述研磨粒的分散劑的添加量相對于研磨粒100質量份為0.01~5.0質量份。

11.根據權利要求1~10中任一項所述的氧化硅用研磨劑，其作為二液式研磨劑保存，該二液式研磨劑分為含研磨粒和水的研漿、以及含多晶硅研磨抑制劑和水的添加液。

12.根據權利要求11所述的氧化硅用研磨劑，其中，所述研磨粒的分散劑包含于研漿中。

13.根據權利要求1所述的氧化硅用研磨劑，其中，所述研磨粒包含氧化硅。

14.根據權利要求1所述的氧化硅用研磨劑，其進一步包括從具有丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺及其α-取代衍生物所組成的組中的任一種N-單取代衍生物或N,N-二取代衍生物骨架的水溶性高分子、聚乙二醇、炔系二醇的氧化乙烯加成物、下述通式（Ⅲ）所表示的化合物、下述通式（Ⅳ）所表示的化合物以及烷氧基化直鏈脂肪醇中選出的一種以上的多晶硅研磨抑制劑，

R¹-C≡C-R²????(III)

通式（Ⅲ）中，R¹表示氫原子或碳原子數1~5的取代或未取代烷基，R²表示碳原子數4~10的取代或未取代烷基；

通式（Ⅳ）中，R³~R⁶各自獨立表示氫原子或碳原子數1~5的取代或未取代烷基，R⁷、R⁸各自獨立表示碳原子數1~5的取代或未取代的亞烷基，m、n各自獨立表示0或正數。

15.一種用于研磨方法的用途，所述研磨方法為使用權利要求1~14中任一項所述的氧化硅用研磨劑來研磨在多晶硅上形成有氧化硅的基板的所述氧化硅膜，并且在所述多晶硅膜露出時抑制對多晶硅膜的研磨。

16.權利要求1~14中任一項所述的氧化硅用研磨劑的用于研磨多晶硅上的氧化硅膜的研磨的用途。

17.權利要求1~14中任一項所述的氧化硅用研磨劑用于研磨的用途，所述研磨為研磨多晶硅膜上的氧化硅膜，并且在所述多晶硅膜露出時抑制對多晶硅膜的研磨的進行。

18.一種半導體基板的研磨方法，其使用權利要求1~14中任一項所述的氧化硅用研磨劑。

19.一種研磨方法，其是將研磨對象物以其被研磨面與研磨墊處于相對的狀態下保持于所述研磨墊上，在所述研磨墊與所述被研磨面之間供給研磨劑，同時使所述研磨墊與所述研磨對象物相對滑動以研磨研磨對象物，其中所述研磨劑使用權利要求1~14中任一項所述的氧化硅用研磨劑。