[發(fā)明專利]半導體發(fā)光器件及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210433703.4
• 申請日: 2012-09-17
• 公開（公告）號: CN103035826A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 中山俊彌;樋口和人;小泉洋;西內(nèi)秀夫;小幡進;木村晃也;杉崎吉昭;小島章弘;秋元陽介
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L33/56
• 分類號: H01L33/56
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 陳松濤;韓宏

相關(guān)申請的交叉引用

本申請基于并要求于03/29/12提交的日本專利申請No.2012-078364的優(yōu)先權(quán)；在此通過參考將其整體內(nèi)容并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

在此描述的實施例涉及到半導體發(fā)光器件及其制造方法。

背景技術(shù)

在一個示例中，半導體發(fā)光器件具有半導體元件(下文簡單稱作發(fā)光元件)、包括熒光體的波長變換單元、例如發(fā)出藍光(諸如藍光LED(發(fā)光二極管))的發(fā)光元件和例如發(fā)出與藍光互補的黃光的熒光體。一起采用這些部件以獲得白光。發(fā)出其他波長(即顏色)光的其他熒光體也可以這種方式組合到波長變換單元中以通過組合波長獲得其他顏色。

當制造這種類型的半導體發(fā)光器件時，通過拋光工藝平滑波長變換單元表面和之后其經(jīng)受濕法蝕刻技術(shù)，以在其上產(chǎn)生粗糙的不規(guī)則表面。

通常使用利用真空吸附的機器人設(shè)備(例如芯片安裝器)將這些常規(guī)半導體發(fā)光器件安裝在基板上，這有利于在安裝工藝中拾取和傳送半導體發(fā)光器件。但是，在這一階段，由于波長變換單元的表面通過蝕刻被粗糙化變換，因此空氣會不期望地經(jīng)由不規(guī)則表面中的間隙進入該表面。當發(fā)生這種情況時，機器人設(shè)備將不能拾取和/或可靠地傳送半導體發(fā)光器件。由此造成的拾取失敗導致產(chǎn)量降低。

發(fā)明內(nèi)容

總體上，將通過參考下文附圖來解釋實施例。應(yīng)當注意，在圖中使用相同參考數(shù)字表示相似元件，并且為了簡略起見，將適當省略相似元件的具體描述。

此處，根據(jù)一個實施例，提供一種能使產(chǎn)量提高的半導體發(fā)光器件及其制造方法。

為了實現(xiàn)更高產(chǎn)量，根據(jù)本實施例的半導體發(fā)光器件包括發(fā)光單元、發(fā)光單元的主表面、包括熒光體并被安裝在主表面上的波長變換單元、以及在波長變換單元的頂部上的透明樹脂。該透明樹脂比波長變換單元具有大的彈性模量和/或高的肖氏硬度。

根據(jù)該實施例的半導體發(fā)光器件的制造方法能夠制造一種器件，其具有發(fā)光單元、包含熒光體并且被設(shè)置在發(fā)光單元的主表面上的波長變換單元、以及設(shè)置在波長變換單元的頂部上的透明樹脂。該半導體發(fā)光器件的制造方法包括涉及在發(fā)光單元的主表面上形成波長變換單元的工序，以及在波長變換單元的頂部上形成透明樹脂以具有比波長變換單元大的彈性模量和/或高的肖氏硬度的工序。

附圖說明

圖1是示出根據(jù)一個實施例的半導體發(fā)光器件的視圖。圖1是半導體發(fā)光器件的示意性截面圖。

圖2是示出由形成在基板上的多個發(fā)光單元發(fā)出的光的波長分布的示意圖。

圖3A和3B是說明波長與色度之間關(guān)系的示意性曲線圖。

圖4A至4E是說明根據(jù)一個實施例的半導體發(fā)光器件的制造方法的步驟的示意性截面圖。

圖5A至5D是說明圖4A-4E的半導體發(fā)光器件的處理方法的步驟的截面圖。

圖6A至6D是示出波長變換單元的各實施例的截面圖。

具體實施方式

此處，舉例說明具有多個發(fā)光單元的半導體發(fā)光器件(即多芯片型半導體發(fā)光器件)。

圖1是說明根據(jù)在此公開的實施例制造的半導體發(fā)光器件1的截面圖。如圖1所示，在半導體發(fā)光器件1中，提供有發(fā)光單元2、電極部分3、電極部分4、結(jié)合部5、引線部分6、密封部分7和波長變換單元8。發(fā)光單元2包括多個發(fā)光子單元，當一起采用時，它們構(gòu)成發(fā)光單元2。雖然半導體發(fā)光器件1可包括多個發(fā)光單元2，但是本文中僅詳細描述單個發(fā)光單元2。

發(fā)光單元2包括主表面M1和主表面M2。主表面M2與主表面M1相對。在每個發(fā)光子單元2中，提供有半導體部分2a、有源部分2b和半導體部分2c。

可通過使用n-型氮化物半導體，諸如GaN(氮化鎵)、AlN(氮化鋁)、AlGaN(氮化鋁鎵)和InGaN(氮化銦鎵)等形成半導體部分2a。

有源部分2b提供在半導體部分2a和半導體部分2c之間。有源部分2b可具有由阱層構(gòu)成的量子阱結(jié)構(gòu)，其通過重組空穴和電子發(fā)光。有源部分2b還包括阻擋層(包覆層)，其包括大于阱層帶隙的帶隙。但是，有源部分2b的結(jié)構(gòu)不限于量子阱結(jié)構(gòu)。可以適當選擇能夠發(fā)出光的替代結(jié)構(gòu)。

半導體部分2c能夠由p型氮化物半導體，諸如GaN、AlN、AlGaN和InGaN等形成。

發(fā)光單元2可以是其峰值發(fā)光波長在350nm-600nm范圍內(nèi)的發(fā)光二極管，或者具有相似特性的其他部件。