[發明專利]一種寄生效應低品質因子高的改進型開關電容結構無效

申請號：	201210433676.0	申請日：	2012-11-02
公開（公告）號：	CN102916686A	公開（公告）日：	2013-02-06
發明（設計）人：	郭斌	申請（專利權）人：	長沙景嘉微電子股份有限公司
主分類號：	H03K17/687	分類號：	H03K17/687
代理公司：	暫無信息	代理人：	暫無信息
地址：	410205 湖南省長沙***	國省代碼：	湖南;43
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種寄生效應品質因子改進型開關電容結構
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【權利要求書】：

1.一種寄生效應低、品質因子高的改進型開關電容結構，其特征在于：它包括一個NMOS開關管（N1）、一個反相器（INV）、一個電阻（R₀）、一個電容（C），所述NMOS開關管（N1）柵極為開關控制信號D的輸入端，漏極與電容（C）的一端連接，源極和襯底都接電源地（GND），所述反相器（INV）的輸入為開關控制信號D的輸入端，輸出接電阻（R₀）的一端，電阻（R₀）的另一端接NMOS開關管的漏極，電容的另一端為開關電容的輸出端OUT。

2.根據權利要求1所述的寄生效應低品質因子高的開關電容結構，其特征在于電阻R₀取值要在MΩ級。

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