[發(fā)明專利]切割片及半導(dǎo)體晶片的的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210433531.0
• 申請(qǐng)日: 2012-11-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103087644A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 佐藤陽(yáng)輔;金井道生;中西勇人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 琳得科株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C09J7/02
• 分類號(hào): C09J7/02;C09J175/14;H01L21/683;H01L21/78
• 代理公司: 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 馮志云;鄭特強(qiáng)

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種在使半導(dǎo)體晶片的每個(gè)電路單體化作成半導(dǎo)體晶片時(shí)為了固定半導(dǎo)體晶片所使用的切割片，特別涉及一種較佳用于固定及切斷半導(dǎo)體晶片表面具有突起狀電極的切割片及利用該切割片制造半導(dǎo)體晶片的方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體晶片表面形成電路后，進(jìn)行對(duì)晶片內(nèi)面一側(cè)的研磨、削切加工而調(diào)整晶片厚度的內(nèi)面研磨削切步驟，及將晶片單體化為特定的晶片體積的切割步驟。接續(xù)內(nèi)面研磨削切步驟，實(shí)施進(jìn)一步對(duì)內(nèi)面蝕刻處理等的伴隨發(fā)熱的加工處理，或?qū)?nèi)面的金屬膜蒸鍍地進(jìn)行高溫的處理。單體化晶片體積的半導(dǎo)體晶片被提取，移送至下一步驟。

近年隨著IC電路的普及，其構(gòu)成元件的半導(dǎo)體晶片朝薄型化發(fā)展。因此，約350μm厚度的晶片被要求薄成50～100μm或以下。

電子電路的大容量化，因應(yīng)高機(jī)能化，朝向使多個(gè)半導(dǎo)體晶片立體層積的集成電路開(kāi)發(fā)。此類的集成電路中，一般經(jīng)由電子封線進(jìn)行半導(dǎo)體晶片的導(dǎo)電連接，但是由于近年的小型化、高機(jī)能化的必要性，不進(jìn)行電子封線而是在半導(dǎo)體晶片設(shè)置從形成電路面貫通至內(nèi)面的電極(貫通電極)，直接導(dǎo)線連接上下晶片之間的方法為有效的方法而進(jìn)行開(kāi)發(fā)。

此種具有貫通電極的晶片的制造方法，例如在半導(dǎo)體晶片的特定位置以等離子體等設(shè)置貫通孔，經(jīng)此貫通孔流入銅等的導(dǎo)電體后進(jìn)行蝕刻等，使半導(dǎo)體晶片表面設(shè)置電路與貫通電極的方法。設(shè)有電路及貫通電極的半導(dǎo)體晶片使用在基材膜上形成粘接劑層的切割片切割，獲得每個(gè)具有貫通電極的晶片。

已有提議在為了獲得上述具有貫通電極的晶片的切割步驟中，在基材膜上所形成的粘接劑層的粘貼面壓入突出的貫通電極而變形，將電極埋入與電極的突出部相似形狀的粘接劑層的凹陷部，形成貫通電極的半導(dǎo)體晶片貼附于切割片固定后進(jìn)行切割而獲得各晶片的方法(專利文獻(xiàn)1、2)。但是，專利文獻(xiàn)1、2所記載的切割片因?yàn)閷⒇炌姌O埋入粘接劑層，恐有在貫通電極間殘留下粘接劑層的殘?jiān)Ｒ驗(yàn)榇藲堅(jiān)芯砻姹晃廴荆雽?dǎo)體晶片的信賴度降低。專利文獻(xiàn)1、2的方法中雖提議減少此種殘?jiān)鼩埩舻氖侄危菬o(wú)法確定可完全排除殘?jiān)鼩埩舻目赡苄浴Ｇ覍＠墨I(xiàn)1、2所記載的切割片為了埋入貫通電極必須調(diào)低切割時(shí)的彈性。因此，切割時(shí)的震動(dòng)也容易發(fā)生晶片破損(破裂)的問(wèn)題。

[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]

[專利文獻(xiàn)]

[專利文獻(xiàn)1]特開(kāi)2006-202926號(hào)公報(bào)

[專利文獻(xiàn)2]特開(kāi)2010-135494號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明以解決伴隨上述已知技術(shù)問(wèn)題為目的。也即，本發(fā)明以提供使突起狀電極(貫通電極)之間不殘留粘接劑層的殘?jiān)⒉皇咕茡p的可切割及提取的切割片為目的。

以解決此課題為目的的本發(fā)明的要旨如下所述。

本發(fā)明提供一種切割片，由基材、位于該基材一表面的中間層、以及位于該中間層上、厚度8～30μm的粘接劑層所構(gòu)成，

該粘接劑層包括分子內(nèi)具有能量線硬化性雙鍵的化合物，且該粘接劑層的硬化前的23℃儲(chǔ)存彈性率G′為中間層的23℃儲(chǔ)存彈性率G′的4倍以上，

在高15μm、直徑15μm的圓柱型電極以40μm的間距等間隔地形成3行3列所形成的晶片通過(guò)該粘接劑層粘貼的情形中，該3行3列所形成的圓柱型電極的中心的電極中，該電極高度7.5μm以下的部分不接觸該粘接劑層。

[本發(fā)明所述的切割片，其中該分子內(nèi)具有能量線硬化性雙鍵的化合物包括由聚合物主鏈或側(cè)鏈鍵結(jié)能量線聚合性基所形成的能量線硬化型粘接性聚合物。

本發(fā)明所述的切割片，其中該中間層的23℃儲(chǔ)存彈性率G′為10⁴Pa以上、未滿10⁵Pa。

本發(fā)明所述的切割片，其中該粘接劑層的硬化前的23℃儲(chǔ)存彈性率G′為3×10⁵Pa以上。

本發(fā)明所述的切割片，其中該粘接劑層包括具有反應(yīng)性官能團(tuán)的丙烯聚合物及交聯(lián)劑，相對(duì)于該丙烯聚合物100質(zhì)量份，含有該交聯(lián)劑5質(zhì)量份以上。

本發(fā)明所述的切割片，其中該交聯(lián)劑為異氰酸酯系交聯(lián)劑。

本發(fā)明任一所述的切割片，其用于粘貼于具有突起狀電極的晶片。

本發(fā)明所述的切割片，其中該突起狀電極為貫通電極。

本發(fā)明所述的切割片，其中該中間層的厚度為該突起狀電極高度的0.5～1.5倍。

本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體晶片制造方法，包括在具有突起狀電極的半導(dǎo)體晶片形成電極的表面粘貼本發(fā)明所述的切割片的步驟，切割該半導(dǎo)體晶片使每個(gè)電路單體化而制成半導(dǎo)體晶片的步驟，以及提取該半導(dǎo)體晶片的步驟。