[發明專利]清潔設備、測量方法和校正方法有效
| 申請號: | 201210433444.5 | 申請日: | 2012-11-02 |
| 公開(公告)號: | CN103094146A | 公開(公告)日: | 2013-05-08 |
| 發明(設計)人: | 榛原照男;森良弘;久保悅子;內部真佐志 | 申請(專利權)人: | 硅電子股份公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 李振東;過曉東 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 清潔 設備 測量方法 校正 方法 | ||
1.用于校正用于測量在液體中溶解的氣體的濃度的測量裝置的校正方法,其包括以下步驟:
-改變所述液體中溶解的所述氣體的濃度,及預先確定在用超聲波照射所述液體時發生的發光的強度顯示出峰的所述氣體的濃度作為參考濃度;
-在通過用超聲波照射所述液體同時改變所述液體中的所述氣體的濃度使所述發光的強度顯示出峰時利用待校正的所述測量裝置測量所述液體中的所述氣體的濃度,以確定所述氣體的濃度的測量值;及
-基于所述測量值和所述參考濃度校正所述測量裝置。
2.根據權利要求1的校正方法,其中所述液體是水。
3.根據權利要求1或2的校正方法,其中使用圖像放大器和光電倍增管之一測量所述發光的強度。
4.根據權利要求1至3之一的校正方法,其中所述氣體是氮氣。
5.根據權利要求1至4之一的校正方法,其中所述液體是用于清潔半導體基材的清潔液,而所述測量裝置包含在用于清潔所述半導體基材的清潔設備中。
6.用于測量液體中溶解的氣體的濃度的測量方法,其包括以下步驟:
-借助發光強度測量裝置測量通過用超聲波照射待測量的所述液體發生的發光的強度,以獲得所述發光的強度的測量值;及
-基于預先求得的所述液體中溶解的所述氣體的濃度與用超聲波照射所述液體時發生的所述發光的強度之間的關系,由所述發光的強度的測量值得出所述氣體的濃度。
7.采用根據權利要求6的測量方法清潔基材的設備,其包括:
-用于保持用于清潔所述基材的清潔液的清潔槽;
-用于用超聲波照射所述清潔液的超聲波發生單元,所述超聲波發生單元經由能夠將超聲波傳導至所述清潔槽中的所述清潔液的介質連接至所述清潔槽;
-用于測量在用所述超聲波照射所述清潔液時發生的發光的強度的發光強度測量裝置;及
-用于由通過所述發光強度測量裝置測量的所述發光的強度的測量值及預先求得的所述清潔液中溶解的所述氣體的濃度與所述發光的強度之間的關系得出所述清潔液中溶解的所述氣體的濃度的處理單元。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





