[發明專利]一種寄生效應低品質因數高的差分開關電容結構有效
| 申請號： | 201210433084.9 | 申請日： | 2012-11-02 |
| 公開（公告）號： | CN103001618A | 公開（公告）日： | 2013-03-27 |
| 發明（設計）人： | 郭斌 | 申請（專利權）人： | 長沙景嘉微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H03K17/56 | 分類號： | H03K17/56 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 410205 湖南省長沙*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 寄生 效應 品質因數 開關 電容 結構 | ||
1.一種寄生效應低、品質因數高的差分開關電容結構，其特征在于：它包括左右兩條開關電容支路，輸入信號為數字控制信號D，輸出信號為P和N。
2.根據權利要求1所述的差分開關電容結構，左右兩條開關電容支路的電容C1和C2容值相同，反相器INV（001）和反相器INV（002）尺寸相同，開關管N1和N2尺寸相同，電阻R1和R2阻值相同。
3.根據權利要求1所述的差分開關電容結構，其特征在于：第一NMOS管（N1）、第二NMOS管（N2）、第三NMOS管（N3）、第一反相器（001）、第二反相器（002）、第一電阻（R1）、第二電阻（R2）、第一金屬電容（C1）、第二金屬電容（C2），其中第一NMOS管（N1）的柵極接數字控制信號D，漏極接第一金屬電容（C1）的一端，源極接地，第一反相器INV（001）的輸入接數字控制信號D，輸出接第一電阻（R1）的一端，第一電阻（R1）的另一端接第一NMOS管（N1）的漏極，第一金屬電容（C1）的另一端接輸出P，第二NMOS管（N2）的柵極接數字控制信號D，漏極接第二金屬電容（C2）的一端，源極接地，第二反相器INV（002）的輸入接數字控制信號D，輸出接第二電阻（R2）的一端，第二電阻（R2）的另一端接第二NMOS管（N2）的漏極，第二金屬電容（C2）的另一端接輸出N，第三NMOS管（N3）的漏極接第一NMOS管（N1）的漏極，源極接第二NMOS管（N2）的漏極，柵極接數字控制信號D。
4.根據權利要求1所述的差分開關電容結構，電阻R1和R2阻值要求在MΩ級。
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