[發(fā)明專利]包括兩個(gè)功率半導(dǎo)體芯片的裝置及其制造有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210432472.5 | 申請(qǐng)日: | 2012-11-02 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103094262A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-05-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | K.侯賽因;F-P.卡爾茨;J.馬勒;M.門格爾 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L25/07 | 分類號(hào): | H01L25/07;H01L25/18;H01L23/48;H01L23/31;H01L21/60 |
| 代理公司: | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;盧江 |
| 地址: | 德國(guó)瑙伊比*** | 國(guó)省代碼: | 德國(guó);DE |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 包括 兩個(gè) 功率 半導(dǎo)體 芯片 裝置 及其 制造 | ||
1.一種裝置,包括
具有第一端面和與所述第一端面相對(duì)的第二端面的第一功率半導(dǎo)體芯片,所述第一功率半導(dǎo)體芯片帶有被布置于所述第一端面上的第一接觸墊,其中所述第一接觸墊是外部接觸墊;
被聯(lián)結(jié)到所述第一功率半導(dǎo)體芯片的所述第二端面的第一接觸夾;
被聯(lián)結(jié)到所述第一接觸夾的第二功率半導(dǎo)體芯片;和
被聯(lián)結(jié)到所述第二功率半導(dǎo)體芯片的第二接觸夾。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中能夠從所述裝置外側(cè)訪問(wèn)所述第一功率半導(dǎo)體芯片的所述第一接觸墊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中所述第一功率半導(dǎo)體芯片具有被布置于所述第二端面上的第二接觸墊。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置,其中所述第一功率半導(dǎo)體芯片的所述第二接觸墊被電耦接到所述第一接觸夾。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中所述第一功率半導(dǎo)體芯片具有被布置于所述第一端面上的第三接觸墊并且所述第三接觸墊是進(jìn)一步的外部接觸墊。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中所述第二功率半導(dǎo)體具有第一端面和與所述第一端面相對(duì)的第二端面,所述第二功率半導(dǎo)體帶有被布置于所述第一端面上的第一接觸墊和被布置于所述第二端面上的第二接觸墊。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置,其中
所述第二功率半導(dǎo)體芯片的所述第一端面面對(duì)所述第一接觸夾,
所述第二功率半導(dǎo)體芯片的所述第二端面面對(duì)所述第二接觸夾,
所述第二功率半導(dǎo)體芯片的所述第一接觸墊被電耦接到所述第一接觸夾,并且
所述第二功率半導(dǎo)體芯片的所述第二接觸墊被電耦接到所述第二接觸夾。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置,進(jìn)一步包括第三接觸夾。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置,其中所述第二功率半導(dǎo)體芯片具有被布置于所述第二功率半導(dǎo)體芯片的所述第一端面上的第三接觸墊并且所述第二功率半導(dǎo)體芯片的所述第三接觸墊被電耦接到所述第三接觸夾。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置,其中所述第二功率半導(dǎo)體芯片的第一、第二和第三接觸墊分別是源電極、漏電極和柵電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置,其中所述第二功率半導(dǎo)體芯片具有被布置于所述第二功率半導(dǎo)體芯片的所述第二端面上的第三接觸墊并且所述第二功率半導(dǎo)體芯片的所述第三接觸墊被電耦接到所述第三接觸夾。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置,其中所述第二功率半導(dǎo)體芯片的第一、第二和第三接觸墊分別是源電極、漏電極和柵電極。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中所述第一功率半導(dǎo)體芯片包括功率MOSFET、IGBT、JFET、功率雙極晶體管或者功率二極管。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,進(jìn)一步包括安裝表面,其中所述第一功率半導(dǎo)體芯片的所述第一接觸墊在所述安裝表面處暴露。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置,其中所述第一接觸夾和所述第二接觸夾的接觸區(qū)域在所述安裝表面處暴露。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的裝置,進(jìn)一步包括被耦接到所述第二功率半導(dǎo)體芯片的第三接觸夾,其中所述第三接觸夾的接觸區(qū)域在所述安裝表面處暴露。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,進(jìn)一步包括覆蓋第一和第二接觸夾以及第一和第二功率半導(dǎo)體芯片的至少某些部分的封裝材料,其中所述第二接觸夾的表面被從所述封裝材料暴露。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個(gè)單個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨(dú)容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨(dú)容器的器件





