[發明專利]一種劃分高填充率冗余圖形的方法

無效

• 申請號: 201210432405.3
• 申請日: 2012-11-02
• 公開（公告）號: CN102945302A
• 公開（公告）日: 2013-02-27
• 發明（設計）人: 闞歡;張旭昇;魏芳
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50;H01L27/02
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 竺路玲

技術領域

本發明涉及集成電路設計制造技術領域，尤其涉及一種劃分高填充率冗余圖形的方法。

背景技術

在集成電路制造工藝中，為了提高化學機械研磨及刻蝕工藝的均一性，通常會在需要化學機械研磨或刻蝕的層中，加入冗余圖形，而傳統的冗余圖形是固定尺寸的矩形或多邊形。

中國專利CN102468134A披露了一種利用冗余圖形填充來調整芯片圖形密度的方法，包括如下步驟：得到芯片制備中某個圖層的可填充區域；預設一組圖形密度不等的填充圖形；等分為多個小塊區域，設定在填充后圖層的圖形密度，小塊區域的最小圖形密度值、最大圖形密度值和相鄰兩個小塊區域間的最大圖形密度差值；計算上述各小塊區域初始的圖形密度值；計算填入的圖形密度最大的填充圖形后的小塊區域的圖形密度值；采用虛擬圖形填充的方法調整每個小塊區域的圖形密度；對各小塊區域中的可填充區域進行填充，使填充后小塊區域的圖形密度值與步驟(6)所調整出的圖形密度值最接近。

這種冗余圖形在較小尺寸的空白區域填充率很低或無法填充，從而導致版圖局部區域的圖形密度或梯度達不到設定目標，最終導致硅片在化學機械研磨及刻蝕后的均一性受到影響。

發明內容

本發明針對現有技術中存在的不足之處，提供一種劃分高填充率冗余圖形的方法，通過該方法確定的冗余圖形具有相對較高的填充率，有助于提高版圖整體的圖形密度均一性，降低版圖各處的圖形密度梯度差，最終提高硅片在化學機械研磨及刻蝕后的均一性。

為了實現上述目的，本發明提供一種劃分高填充率冗余圖形的方法，包括以下順序步驟：

首先，劃出需要填充冗余圖形的空白區域，確定空白區域的邊線；之后，在相距空白區域邊線內側一定距離的地方劃出冗余圖形的邊線，其中所述冗余圖形各條側邊線與相對應空白區域邊線之間保持數值為d的距離，最后，由各條冗余圖形側邊線組成的圖形即為冗余圖形。

本發明提供的一優選實施例中，其中冗余圖形中相對側邊之間定義為a，所述a的數值范圍為1~20000?nm。

本發明提供的一優選實施例中，其中所述d的數值范圍為1~50000nm。

本發明提供的一優選實施例中，其中所述a的數值不小于空白區域所在層中主圖形設計要求的最小主圖形尺寸。

本發明提供的一優選實施例中，其中所述d的數值不小于空白區域所在層中主圖形設計要求的最小主圖形間距。

本發明提供的劃分高填充率冗余圖形的方法能形成具有高填充率冗余圖形，有助于提高版圖整體的圖形密度均一性，降低版圖各處的圖形密度梯度差，最終提高硅片在化學機械研磨及刻蝕后的均一性。

附圖說明

圖1是本發明劃分高填充率冗余圖形的示意圖。

圖2是本發明中冗余圖形填充效果圖。

具體實施方式

本發明提供劃分高填充率冗余圖形的方法，有助于提高版圖整體的圖形密度均一性，降低版圖各處的圖形密度梯度差，最終提高硅片在化學機械研磨及刻蝕后的均一性。

以下通過實施例對本發明提供的方法作進一步詳細說明，以便更好理解本發明創造的內容，但實施例的內容并不限制發明創造保護的范圍。

劃分高填充率冗余圖形的方法包括以下順序步驟：

如圖1所示，首先在主圖形21、22層上劃出需要填充冗余圖形的空白區域，并確定空白區域的邊線。之后，在相距空白區域邊線內側一定距離的地方劃出冗余圖形5的邊線，其中所述冗余圖形5各條側邊線與相對應空白區域邊線之間保持數值為d的距離，所述d的數值范圍為1~50000nm。一般，所述d的數值不小于空白區域所在層中主圖形設計要求的最小主圖形間距。優選的d的數值為500、1000、1500等。

最后，將由各條冗余圖形側邊線組成的圖形，即確定為冗余圖形。冗余圖形中相對側邊之間定義為a，所述a的數值范圍為1~20000?nm。所述a的數值不小于空白區域所在層中主圖形設計要求的最小主圖形尺寸。

如圖2所示冗余圖形填充效果圖，圖中黑色部分為主圖形、斜線框部分為冗余圖形。填充后局部圖形密度達54%，相比傳統的冗余圖形填充效果有很大的提高。這種高填充率的冗余圖形提高版圖整體的圖形密度均一性，降低版圖各處的圖形密度梯度差，最終提高硅片在化學機械研磨及刻蝕后的均一性。

以上對本發明的具體實施例進行了詳細描述，但其只是作為范例，本發明并不限制于以上描述的具體實施例。對于本領域技術人員而言，任何對本發明進行的等同修改和替代也都在本發明的范疇之中。因此，在不脫離本發明的精神和范圍下所作的均等變換和修改，都應涵蓋在本發明的范圍內。