[發明專利]用于半導體裝置中的襯墊下電路的襯墊設計

有效

• 申請號: 201210432343.6
• 申請日: 2012-11-02
• 公開（公告）號: CN103094293A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 錢胤;戴幸志;顧克強;文森特·韋內齊亞;毛杜立;鄭偉;霍華德·E·羅茲
• 申請（專利權）人: 全視科技有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L23/498;H01L21/48;H01L21/60
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 齊楊

1.一種圖像傳感器，其包括：

半導體襯底，其包括由外圍電路區域圍繞的光敏區域；

腔，其安置在所述半導體襯底的所述外圍電路區域內，所述腔至少從所述半導體

襯底的第一側一直延伸到所述半導體襯底的第二側；

絕緣層，其安置在所述半導體襯底的所述第一側上且涂覆所述腔的側壁；

包括接合襯墊的導電層，其安置在所述絕緣層上及所述半導體襯底的所述第一側

上，其中所述導電層延伸到所述腔內且連接到安置在所述半導體襯底的所述第二側

下方的金屬堆疊；及

穿硅通孔“TSV”襯墊，其安置在所述半導體襯底的所述第二側下方且連接到所

述金屬堆疊，其中所述TSV襯墊經定位以接受TSV。

2.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其進一步包括：

光敏元件，其安置在所述半導體襯底的所述光敏區域內；及

讀出電路，其安置在所述接合襯墊下面且安置在所述半導體襯底的所述外圍電路

區域內，其中所述讀出電路經耦合以從所述光敏元件讀出圖像數據。

3.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其進一步包括：

處置襯底，其安置在所述TSV襯墊下方；及

TSV，其行進穿過所述處置襯底且與所述TSV襯墊相連接。

4.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其進一步包括：

層間電介質，其安置在所述金屬堆疊與所述半導體襯底之間，其中所述腔延伸穿

過所述層間電介質。

5.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其進一步包括：

抗反射層，其安置在光敏元件上，所述光敏元件安置在所述半導體襯底的所述光

敏區域內。

6.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中所述腔位于所述半導體襯底的所述外圍電

路區域的外部周邊上。

7.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中所述金屬堆疊包括多個金屬互連層，且其

中所述TSV襯墊的至少一部分安置在所述金屬堆疊內的至少一個金屬互連層正下

方，所述至少一個金屬互連層安置在電路正下方且連接到安置在所述接合襯墊正下

方的所述電路。

8.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中所述整個接合襯墊安置在所述外圍電路區

域上方及之上。

9.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中所述金屬堆疊包括所述TSV襯墊。

10.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中所述TSV襯墊經定位以用于分配或接收

芯片外信號。

11.一種半導體裝置，其包括：

半導體襯底；

腔，其安置在所述半導體襯底內，所述腔至少從所述半導體襯底的第一側延伸穿

過所述半導體襯底的第二側；

絕緣層，其安置在所述半導體襯底的所述第一側上且涂覆所述腔的側壁；

導電層，其安置在所述絕緣層上且安置在所述腔內，其中所述導電層包括所述半

導體襯底的所述第一側上的接合襯墊，且其中所述導電層連接到所述腔的底部處的

金屬堆疊，其中所述腔的所述底部位于所述半導體襯底的所述第一側的對面；及

穿硅通孔“TSV”襯墊，其安置在所述半導體襯底的所述底部的下方且連接到所

述金屬堆疊，其中所述TSV襯墊經定位以接受TSV。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置，其中所述半導體裝置包括圖像傳感器，所述

圖像傳感器進一步包括：

電路，其安置在所述半導體襯底內，其中所述電路安置在所述接合襯墊下面。

13.根據權利要求12所述的半導體裝置，其中所述腔位于所述半導體襯底的外部周邊

上以使連續的半導體襯底的面積最大化。

14.根據權利要求12所述的半導體裝置，其進一步包括：

處置襯底，其安置在所述TSV襯墊下方；及

TSV，其行進穿過所述處置襯底且與所述TSV襯墊相連接。