[發(fā)明專利]一種介電常數(shù)可調(diào)整的金屬互連層及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210432249.0
• 申請日: 2012-11-02
• 公開（公告）號: CN102938399A
• 公開（公告）日: 2013-02-20
• 發(fā)明（設計）人: 曾林華;任昱;呂煜坤;張旭昇
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 竺路玲

1.一種介電常數(shù)可調(diào)整的金屬互連層，其特征在于，包括依次沉積的阻擋層、介質(zhì)層、金屬導線層和阻擋層，所述金屬導線層設于所述介質(zhì)層中，所述金屬導線層間的介質(zhì)層中設有封閉的空隙。

2.如權利要求1所述的介電常數(shù)可調(diào)整的金屬互連層，其特征在于，所述空隙為真空或含有空氣。

3.如權利要求1所述的介電常數(shù)可調(diào)整的金屬互連層，其特征在于，所述介質(zhì)層的材料選自正硅酸乙酯、氟硅玻璃或低介電常數(shù)薄膜。

4.如權利要求3所述的介電常數(shù)可調(diào)整的金屬互連層，其特征在于，所述阻擋層的材料選自SiCN。

5.如權利要求4所述的介電常數(shù)可調(diào)整的金屬互連層，其特征在于，所述金屬導線層的外圍還設有金屬擴散阻擋層。

6.如權利要求5所述的介電常數(shù)可調(diào)整的金屬互連層，其特征在于，所述金屬導線層為銅導線層。

7.如權利要求6所述的介電常數(shù)可調(diào)整的金屬互連層，其特征在于，所述金屬擴散阻擋層的材料選自TaN。

8.一種如權利要求1所述的介電常數(shù)可調(diào)整的金屬互連層的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1：通過大馬士革金屬互連技術形成依次沉積的阻擋層、介質(zhì)層、金屬導線層，所述金屬導線層設于所述介質(zhì)層中；

步驟2：通過回刻（?etch?back），在金屬導線層間的介質(zhì)層中形成孔洞；

步驟3：在所述步驟3中形成的孔洞中涂布有機物；

步驟4：沉積刻蝕阻擋層；

步驟5：在步驟4中的刻蝕阻擋層上形成開口，并通過所述開口去除刻蝕阻擋層下的有機物層；

步驟6：沉積介質(zhì)層，在金屬導線層間形成封閉的空隙。

9.如權利要求8所述的介電常數(shù)可調(diào)整的金屬互連層的制作方法，其特征在于，所述步驟2中形成的孔洞的深度可隨需要進行調(diào)整。

10.如權利要求8所述的介電常數(shù)可調(diào)整的金屬互連層的制作方法，其特征在于，所述步驟5中通過各向同性刻蝕去除有機物層。