[發(fā)明專利]一種無石墨包裹物的導(dǎo)電碳化硅晶體生長工藝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210432144.5
• 申請日: 2012-11-02
• 公開（公告）號: CN102965733A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王波;彭同華;劉春俊;趙寧;婁艷芳;王文軍;王剛;陳小龍
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院物理研究所
• 主分類號: C30B29/36
• 分類號: C30B29/36;C30B25/00;C30B28/14
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 周長興

1.一種無石墨包裹物的導(dǎo)電碳化硅晶體生長工藝，利用氫原子可以在高溫下與石墨顆粒反應(yīng)生成氣態(tài)的碳?xì)浠衔锘蛱細(xì)渥杂苫瑢⑹w粒在原料中或從料面到晶體生長面的輸運(yùn)過程中消除，從而生長出無石墨包裹物導(dǎo)電碳化硅晶體；其過程為：

將可提供氫原子的氣體和氮?dú)馀c惰性載氣一起引入生長室內(nèi)，在制備碳化硅晶體的溫度下分解出氫原子，改變可以提供氫原子的氣體流量以調(diào)節(jié)氫原子在生長室內(nèi)的濃度，生長出無石墨包裹物的導(dǎo)電碳化硅晶體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其中，可提供氫氣的氣體和氮?dú)馀c惰性載氣一起以載氣形式引入到生長室內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的工藝，其中，可提供氫原子的氣體是氫氣或者碳?xì)浠衔铮栊暂d氣為氬氣或者氦氣。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的工藝，其中，載氣中可提供氫氣的氣體占總載氣的體積比的5％-40％。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的工藝，其中，載氣中的氮?dú)庹嫉娇傒d氣的體積比的5％-40％。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其中，引入生長室內(nèi)的可提供氫原子的氣體流量為10-1000sccm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其中，引入生長室內(nèi)的氮?dú)饬髁繛?0-1000sccm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其中，制備的無石墨包裹物的導(dǎo)電碳化硅晶體中的氮原子濃度大于2×10¹⁸/cm³。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其中，制備的無石墨包裹物的導(dǎo)電碳化硅晶體的電阻率小于0.02Ω·cm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其中，制備的無石墨包裹物的導(dǎo)電碳化硅晶體的晶型包括3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC、15R-SiC或其組合。