[發明專利]確定片上電壓和溫度

有效

• 申請號: 201210431977.X
• 申請日: 2012-11-01
• 公開（公告）號: CN103091619A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 安博黑謝克·辛格;沃伊切赫·雅各布·波普;伊利亞斯·埃爾金
• 申請（專利權）人: 輝達公司
• 主分類號: G01R31/28
• 分類號: G01R31/28;G01R31/3177
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 徐丁峰;謝栒

背景技術

在近來的集成電路（IC）技術中，半導體器件的器件幾何形狀的縮小化和光刻技術的進展使得能夠增大半導體器件密度。然而，這導致了若干挑戰，諸如增加的峰值功率密度和由不可預測的工作負荷造成的熱點遷移。

發明內容

在一個實施例中，一種方法可以包括對作為半導體器件的一部分的兩種類型的傳感器進行建模和校準。另外，該方法可以包括基于從兩個傳感器接收的數據來確定溫度和電壓。

在一個實施例中，一種系統可以包括第一傳感器、第二傳感器以及耦合成從第一和第二傳感器二者接收輸出的分析部件。該分析部件可以用于執行包括對作為半導體器件的一部分的第一和第二傳感器進行建模和校準的方法。此外，該方法可以包括基于從第一和第二傳感器接收的數據來確定溫度和電壓。

在一個實施例中，一種方法可以包括對作為半導體器件的一部分的電壓敏感傳感器和溫度敏感傳感器進行建模和校準。注意，電壓敏感傳感器和溫度敏感傳感器處于緊鄰。另外，該方法可以包括基于從電壓敏感傳感器和溫度敏感傳感器接收的數據來確定溫度和電壓。

雖然在本發明內容內具體描述了根據本發明的特定實施例，但是注意本發明和要求保護的主題不以任何方式受這個實施例限制。

附圖說明

在附圖內，通過示例的方式而非通過限制的方式圖示了根據本發明的各種實施例。注意，在所有附圖中，同樣的附圖標記表示類似的元件。在本描述中提及的附圖不應當理解為按比例繪制，除了如果具體指出的話。

圖1是根據本發明的一個實施例的示例性泄漏反相器（leakage?inverter）的方框圖。

圖2是根據本發明的一些實施例的具有MOS部件的示例性泄漏反相器的方框圖。

圖3是根據本發明的一個實施例的示例性環形振蕩器的方框圖。

圖4是根據本發明的一個實施例的示例性泄漏反相圖形的方框圖。

圖5是根據本發明的一個實施例的另一個示例性環形振蕩器的方框圖。

圖6是根據本發明的一個實施例的示例性泄漏反相器輸入控制配置的方框圖。

圖7是根據本發明的一個實施例的示例性泄漏反相器輸出控制配置的方框圖。

圖8是根據本發明的一個實施例的示例性泄漏反相器和控制環配置的方框圖。

圖9是根據本發明的一個實施例的示例性延遲測量系統的方框圖。

圖10是根據本發明的一個實施例的示例性時序圖的方框圖。

圖11是根據本發明的一個實施例的示例性延遲測量系統的方框圖。

圖12是根據一個實施例的示例性MullerC元件的方框圖。

圖13是根據本發明的一個實施例的示例性時序圖的圖。

圖14是根據本發明的一個實施例的示例性延遲測量系統的方框圖。

圖15是根據本發明的一個實施例的示例性分析系統的方框圖。

圖16是根據本發明的一個實施例的示例性分析系統的方框圖。

圖17是根據本發明的一個實施例的示例性分析系統的方框圖。

圖18是根據本發明的一個實施例的示例性分析方法的流程圖。

圖19是根據本發明的一個實施例的示例性泄漏反相過程的流程圖。

圖20是根據本發明的一個實施例的示例性分析過程的流程圖。

圖21是根據本發明的各種實施例的方法的流程圖。

圖22是根據本發明的一個實施例的迭代求解二元方程以導出節點溫度和電壓的方框圖。

圖23是根據本發明的各種實施例的用于針對管芯內過程變化（PV）進行校準的方法的流程圖。

圖24是根據本發明的一個實施例的示例性標準環形振蕩器的方框圖。

圖25是根據本發明的一個實施例的示例性泄漏反相器形成過程的流程圖。

圖26是根據本發明的一個實施例的示例性延遲測量系統的方框圖。

圖27是根據本發明的一個實施例的示例性延遲測量方法的方框圖。

圖28是根據本發明的一個實施例的示例性躍遷完成檢測過程的方框圖。

圖29是根據本發明的一個實施例的示例性分析方法的方框圖。

具體實施方式