[發明專利]基于分位數的甚低頻雷電脈沖消除方法及裝置

有效

• 申請號: 201210431734.6
• 申請日: 2012-10-31
• 公開（公告）號: CN102932019A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發明（設計）人: 蔣宇中;徐雙全;王碩;張曙霞;梁玉軍;劉月亮;應文威
• 申請（專利權）人: 中國人民解放軍海軍工程大學
• 主分類號: H04B1/10
• 分類號: H04B1/10
• 代理公司: 武漢開元知識產權代理有限公司 42104
• 代理人: 黃行軍;余麗霞

1.一種基于分位數的甚低頻雷電脈沖消除方法，該方法包括以下步驟：

1）、設置雷電脈沖的初始起控電平Kn值；

2）、將接收機實時接收的數據取絕對值存于寄存器A中，統計A大于Kn的個數M；

3）、當M大于或小于雷電脈沖抑制數的目標值閾值范圍時，調整Kn值，重復執行步驟2），直至M位于雷電脈沖抑制數的目標值閾值范圍內；

4）、取步驟3）中獲得的Kn值，作為目標起控電平；

5）、判斷接收機接收的數據是否小于目標起控電平：小于則直接輸出數據，大于則輸出為零；

6）、接收機重復執行步驟1）至步驟5），對接收機接收的數據進行實時處理。

2.根據權利要求1所述的基于分位數的甚低頻雷電脈沖消除方法，其特征在于：在步驟1）中，先設定參數Kn、Exp_Q、Rn、δHn、M，Ln其中：?Kn為雷電脈沖的初始起控電平，0≤Kn≤K，K為電平量化最大值；Exp_Q為所需抑制的雷電脈沖百分數，10%≤Exp_Q≤20%；?Rn為Exp_Q的允許誤差范圍即容忍度，實際控制的范圍為上閾值是Exp_Q+Rn、下閾值是Exp_Q-Rn，Rn的取值范圍一般是2%≤Rn≤5%；δHn為Kn的正負調整步長，0≤δHn≤Kn?；M用于記錄統計計數值，其值存儲于RAM中；Ln是調整長度，其值小于等于RAM的容量；然后對接收機接收的數據進行判斷，當接收的數據小于零時取反，存儲至寄存器并記為A，當接收的數據大于零時，直接存儲至寄存器并記為A。

3.根據權利要求2所述的基于分位數的甚低頻雷電脈沖消除方法，其特征在于：步驟2）中，統計M值的具體方法是，首先置M=0，每寫入數據時，判斷A是否大于Kn，大于Kn則M加1，并在RAM的當前地址寫入標志位1，小于Kn則M加0，并在RAM的當前地址寫入標志位0；設置RAM的讀地址始終位于寫地址的前一位，同時從RAM中讀出數據，讀出標志位，當標志位為1時M減1，當標志位為0時M減0，寫地址加1，設定一個調整長度為一個周期，直至讀完一個周期內RAM中的數據，并將M值作為下一步調整Kn值的依據。

4.根據權利要求3所述的基于分位數的甚低頻雷電脈沖消除方法，其特征在于：步驟3）中，調整Kn值的具體方法是，一個周期內RAM接收數據總數乘以Exp_Q為雷電脈沖抑制數的目標值數值，接收數據總數乘以（Exp_Q+Rn）為上閾值，接收數據總數乘以（Exp_Q-Rn）為下閾值，當M大于上閾值時，?Kn+δHn?作為新的Kn；當M小于下閾值時，?Kn-δHn?作為新的Kn；執行步驟4），直至M在上下閾值內時取該Kn值為目標起控電平。

5.根據權利要求1所述的基于分位數的甚低頻雷電脈沖消除方法，其特征在于：使用RAM記錄標志位，所述讀地址和寫地址為指針計數方式控制，采用狀態機的工作方式來完成對RAM中數據的讀寫。

6.一種實現權利要求1所述的基于分位數的甚低頻雷電脈沖消除方法的裝置，其特征在于：包括天線接口（11）、差分放大器（12）、A/D轉換器（13）、FPGA芯片（14）和晶振（15），所述天線接口（11）的輸出端與所述差分放大器（12）的輸入端連接，所述差分放大器（12）的輸出端與所述A/D轉換器（13）的輸入端連接，所述A/D轉換器（13）的輸入端與所述晶振（15）連接，所述A/D轉換器（13）的輸出端與所述FPGA芯片（14）的輸入端連接，所述FPGA芯片（14）中設有甚低頻雷電脈沖消除算法模塊。