[發明專利]一種抑制微波部件微放電效應的微刻蝕工藝方法

有效

• 申請號: 201210431364.6
• 申請日: 2012-10-31
• 公開（公告）號: CN102925893A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發明（設計）人: 崔萬照;楊晶;胡天存;王瑞;賀永寧
• 申請（專利權）人: 西安空間無線電技術研究所
• 主分類號: C23F1/00
• 分類號: C23F1/00
• 代理公司: 中國航天科技專利中心 11009
• 代理人: 安麗

1.一種抑制微波部件微放電效應的微刻蝕工藝方法，其特征在于步驟如下：

(1)對微波部件的表面進行去油和清洗處理；

(2)對步驟(1)中預處理過的微波部件利用Fe(NO₃)₃刻蝕液進行微刻蝕反應，在微波部件表面形成微陷阱結構；

(3)清洗該微波部件，去除微波部件表面的反應殘留物；

(4)去除微波部件表面殘留的Fe³⁺；

(5)再次清洗該微波部件；

(6)烘干該微波部件并包裝保存。

2.根據權利要求1所述的一種抑制微波部件微放電效應的微刻蝕工藝方法，其特征在于：步驟(1)中所述對微波部件的表面進行去油和清洗處理具體為：先分別依次用丙酮、乙醇超聲清洗5min去油，再用超純水超聲清洗5min，最后在50℃下烘干。

3.根據權利要求1所述的一種抑制微波部件微放電效應的微刻蝕工藝方法，其特征在于：Fe(NO₃)₃刻蝕液采用Fe(NO₃)₃·9H₂O配制，其質量比為Fe(NO₃)₃·9H₂O∶超純水H₂O＝1∶2。

4.根據權利要求1或3所述的一種抑制微波部件微放電效應的微刻蝕工藝方法，其特征在于：對微波部件利用Fe(NO₃)₃刻蝕液進行微刻蝕反應時，微刻蝕反應溫度為50℃±1℃，反應時間為40s±2s。

5.根據權利要求1所述的一種抑制微波部件微放電效應的微刻蝕工藝方法，其特征在于：步驟(3)中清洗該微波部件具體為：先進行二級水洗，再用超純水超聲清洗2次，每次2min。

6.根據權利要求1所述的一種抑制微波部件微放電效應的微刻蝕工藝方法，所述去除微波部件表面殘留的Fe³⁺具體為：將微波部件在50％的鹽酸中浸泡20s。