[發(fā)明專利]一種用于硅納米線生物檢測芯片的結構及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210431190.3 | 申請日： | 2012-11-01 |
| 公開（公告）號： | CN103018429B | 公開（公告）日： | 2017-03-15 |
| 發(fā)明（設計）人： | 朱建軍;趙宇楠;葉紅波;戚繼鳴 | 申請（專利權）人： | 上海集成電路研發(fā)中心有限公司;華東師范大學 |
| 主分類號： | G01N33/48 | 分類號： | G01N33/48;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吳世華,林彥之 |
| 地址： | 201210 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 納米 生物 檢測 芯片 結構 及其 制造 方法 | ||
1.一種硅納米線生物檢測芯片的結構，包括：
?半導體襯底；
?二氧化硅隔離層，生長在所述半導體襯底上；
多晶硅層，生長在所述二氧化硅隔離層上，所述多晶硅層中包括圖形化形成的硅納米線陣列；其特征在于：還包括：
結構層，生長在所述多晶硅層上；所述結構層結構從下至上依次包括SiON層、TaN和/或Ta2O5層，其中，所述TaN和/或Ta2O5層僅覆蓋于所述硅納米線陣列中各硅納米線的表面。
2.根據權利要求1所述的硅納米線生物檢測芯片的結構，其特征在于，所述二氧化硅隔離層的厚度為1000??~5000??。
3.根據權利要求1所述的硅納米線生物檢測芯片的結構，其特征在于，所述多晶硅層厚度為50??~1000??。
4.根據權利要求1所述的硅納米線生物檢測芯片的結構，其特征在于，所述硅納米線的線寬范圍為5nm~130nm；其厚度為5nm~100nm。
5.根據權利要求1所述的硅納米線生物檢測芯片的結構，其特征在于，所述SiON層的厚度為10??~50??；所述TaN層的厚度為10??~50??；所述Ta2O5層的厚度為10??~50??。
6.一種硅納米線生物檢測芯片的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟S01：提供半導體襯底；
步驟S02：在所述半導體襯底上生長二氧化硅隔離層；
步驟S03：在所述二氧化硅隔離層上生長多晶硅層；
步驟S04：圖形化所述多晶硅層以形成硅納米線陣列；
步驟S05：在所述硅納米線陣列上生長一層的結構層，其中，所述結構層結構從下至上依次包括SiON層、TaN和/或Ta2O5層；
步驟S06：去除硅納米線陣列中各硅納米線之間的TaN層和/或Ta2O5層。
7.根據權利要求6所述的硅納米線生物檢測芯片的制造方法，其特征在于，所述步驟S02中的所述二氧化硅隔離層生長工藝為濕氧氧化工藝。
8.根據權利要求6所述的硅納米線生物檢測芯片的制造方法，其特征在于，所述步驟S04中的形成硅納米線陣列是通過等離子干法刻蝕工藝完成的。
9.根據權利要求6所述的硅納米線生物檢測芯片的制造方法，其特征在于，所述步驟S05中的SiON層是通過熱氧化法在硅納米線陣列表面生長形成，所述TaN和/或Ta2O5層是通過原子層淀積工藝生長形成的。
10.根據權利要求6所述的硅納米線生物檢測芯片的制造方法，其特征在于，所述步驟S06中的去除工藝是采用等離子干法刻蝕工藝。
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