[發明專利]一種非硅MEMS微通道組的制作方法

無效

• 申請號: 201210430764.5
• 申請日: 2012-11-01
• 公開（公告）號: CN102910574A
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發明（設計）人: 陳濤;申雪飛
• 申請（專利權）人: 北京工業大學
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203
• 代理人: 魏聿珠

1.一種非硅MEMS微通道的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

第一步，用涂膠機在圓形玻璃基片上均勻甩涂光刻膠，制得均勻膠層玻璃基板；

第二步，用準分子激光直寫法在第一步所得的均勻膠層玻璃基板上刻蝕微通道結構，得到膠層模板；

第三步，對刻蝕后的膠層微流控芯片原型即膠層模板進行濺鍍，濺鍍上一層1～3μm的導電Ni層，然后在電鑄液中電鑄一層0.5～0.6mmNi層，將膠層去除后得到微通道反向金屬模板；

第四步，使用第三步制得的微通道反向金屬模板作母板采用透明高聚物料注塑成型法，復制出具有與第二步所述膠層模板相同的高聚物料凹微通道組。

2.如權利要求1所述的非硅MEMS微通道的制作方法，其特征在于，所述的第一步驟制得的均勻膠層玻璃基板的膠層厚度為20～70μm。

3.如權利要求1所述的非硅MEMS微通道的制作方法，其特征在于，第二步驟所用準分子激光能量密度選擇在光刻膠與玻璃的激光刻蝕閾值之間。

4.如權利要求1所述的非硅MEMS微通道的制作方法，其特征在于，第二步驟制得的凹微通道結構只制作在膠層上。

5.如權利要求1所述的非硅MEMS微通道的制作方法，其特征在于，第三步驟制得的帶有凸微通道形貌的反向金屬模板為在刻蝕制得的膠層模板經濺鍍薄導電Ni層后再電鑄厚Ni層得到的反向鎳金屬模板。

6.如權利要求1所述的非硅MEMS微通道的制作方法，其特征在于，所述的第四步驟制得的高聚物料微通道基片為帶有凹微通道組的高聚物料基片，材料為聚碳酸酯PC或聚甲基丙烯酸甲酯PMMA或聚苯乙烯PS；所述高聚物料微通道基片的凹微通道結構與所述膠層模板上得凹微通道結構相同。