[發(fā)明專利]陣列基板及其制作和維修方法、顯示裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210430745.2
• 申請(qǐng)日: 2012-11-01
• 公開（公告）號(hào): CN102931189A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張明;蔡振飛;賈丕健;郝昭慧;尹雄宣
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/02
• 分類號(hào): H01L27/02;H01L21/77;G02F1/1343;G02F1/1345;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 羅建民;陳源

1.一種陣列基板，包括引線和像素電極，所述引線和像素電極之間具有絕緣層，其特征在于，所述像素電極與引線分隔設(shè)置且所述像素電極與引線之間能夠?qū)ā?/p>

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述絕緣層上設(shè)置有通孔，所述像素電極設(shè)置在絕緣層上未設(shè)置有通孔處，以使得所述像素電極與引線能夠通過在所述通孔中設(shè)置導(dǎo)電材料導(dǎo)通。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述絕緣層上設(shè)置有通孔，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述通孔中的連通層，所述像素電極設(shè)置在絕緣層上未設(shè)置有通孔處，且所述連通層與像素電極分隔設(shè)置，以使得所述像素電極與引線能夠通過在所述連通層與像素電極的分隔處設(shè)置導(dǎo)電材料導(dǎo)通。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的陣列基板，其特征在于，所述通孔側(cè)壁與通孔底面的夾角為鈍角。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述通孔側(cè)壁與通孔底面的夾角為110°~120°。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，

所述陣列基板應(yīng)用的顯示面板為常黑模式，所述引線為公共電極線或公共電極；

或者，所述陣列基板應(yīng)用的顯示面板為常白模式，所述引線為柵線。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，

所述絕緣層包括柵極絕緣層和鈍化層，所述鈍化層設(shè)置在像素電極與柵極絕緣層之間；

或者，所述絕緣層為柵極絕緣層。

8.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的陣列基板。

9.一種陣列基板的維修方法，其特征在于，包括如下步驟：

A.在權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的陣列基板中具有亮點(diǎn)像素瑕疵的像素區(qū)域設(shè)置導(dǎo)電材料，以使得所述陣列基板中具有亮點(diǎn)像素瑕疵的像素區(qū)域所對(duì)應(yīng)的像素電極與引線之間能夠經(jīng)所述導(dǎo)電材料導(dǎo)通。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，

所述步驟A之前還包括如下步驟：

A-1.切斷所述具有亮點(diǎn)像素瑕疵的像素區(qū)域中薄膜晶體管的源極；

或者，A-2.切斷所述具有亮點(diǎn)像素瑕疵的像素區(qū)域中薄膜晶體管的漏極；

或者，A-3.分別切斷所述具有亮點(diǎn)像素瑕疵的像素區(qū)域中薄膜晶體管的源極和漏極；

或者，A-4.切斷所述具有亮點(diǎn)像素瑕疵的像素區(qū)域中薄膜晶體管的漏極與該像素區(qū)域?qū)?yīng)的像素電極之間的連接。

11.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：在基板上形成包括位于不同層的引線圖形和像素電極圖形的步驟；所述引線圖形和像素電極圖形之間具有絕緣層；

所述像素電極圖形與所述引線圖形分隔設(shè)置且所述像素電極與引線之間能夠?qū)ā?/p>

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制作方法，其特征在于，

在所述絕緣層上形成通孔；

所述像素電極圖形形成在絕緣層上未設(shè)置有通孔處，以使得所述像素電極與引線能夠通過在所述通孔中設(shè)置導(dǎo)電材料導(dǎo)通；

或者，

在所述絕緣層的通孔中形成連通層圖形，所述像素電極圖形形成在絕緣層上未設(shè)置有通孔處，并使得所述像素電極與連通層分隔設(shè)置，以使得所述像素電極與引線能夠通過在所述連通層與像素電極的分隔處設(shè)置導(dǎo)電材料導(dǎo)通。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制作方法，其特征在于，

所述像素電極圖形與連通層圖形在同一次構(gòu)圖工藝中形成；所述像素電極與連通層采用相同材料。

14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的制作方法，其特征在于，所述通孔的側(cè)壁與通孔底面的夾角為鈍角。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制作方法，其特征在于，所述通孔的側(cè)壁與通孔底面的夾角為110°~120°。

16.根據(jù)權(quán)利要求11-15中任一項(xiàng)所述的制作方法，其特征在于，

所述陣列基板應(yīng)用的顯示面板為常黑模式，所述引線為公共電極線或公共電極；

或者，所述陣列基板應(yīng)用的顯示面板為常白模式，所述引線為柵線。

17.根據(jù)權(quán)利要求11-15中任一項(xiàng)所述的制作方法，其特征在于，

所述絕緣層包括柵極絕緣層和鈍化層；

在所述引線圖形上形成柵極絕緣層圖形，在所述柵極絕緣層圖形上形成鈍化層圖形；

或者，所述絕緣層為柵極絕緣層。