[發明專利]采用高電壓反注入的功率晶體管

有效

• 申請號: 201210430036.4
• 申請日: 2012-10-31
• 公開（公告）號: CN103579005A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 蕭世匡;朱振樑;陳奕升;陳斐筠;鄭光茗
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種用于形成器件的方法，包括：

提供襯底；

在所述襯底上形成隱埋層；

在位于所述隱埋層上方的襯底中形成具有第一導電類型的主阱；

在所述主阱中形成具有第二導電類型的漂移漏極；以及

在所述主阱中對具有所述第一導電類型的反注入區域進行注入，所述反注入區域介于所述漂移漏極和所述隱埋層之間。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，至少通過在第一深度處進行第一離子注入和在小于所述第一深度的第二深度處進行第二離子注入來形成所述主阱，并且，通過在小于所述第一深度且大于所述第二深度的第三深度處進行第三離子注入來形成所述反注入區域。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述第一離子注入的濃度為約4.0E12和約5.0E12之間，所述第二離子注入的濃度為約2.5E12和約3.5E12之間。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述第三離子注入的濃度為約2.0E12和約3.0E12之間。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述漂移漏極包括在所述襯底上方施加第一圖案掩模以及通過所述第一圖案掩模中的一個或多個開口對所述漂移漏極進行注入，并且，對反注入區域進行注入包括通過所述第一圖案掩模中的一個或多個開口對所述反注入區域進行注入。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，對反注入區域進行注入包括對至少兩個反注入區域進行注入，所述反注入區域被非漂移區域隔開。

7.一種器件，包括：

襯底；

隱埋層，設置在所述襯底中；

主阱，具有第一導電類型，所述主阱位于所述隱埋層上方的襯底中；

至少一個漂移漏極，具有第二導電類型，所述至少一個漂移漏極位于所述主阱中；

至少一個反注入區域，位于所述主阱中且具有所述第一導電類型，所述至少一個反注入區域設置在所述至少一個漂移漏極和所述隱埋層之間；以及

柵極結構，位于所述主阱以及所述至少一個漂移漏極的一部分的上方。

8.根據權利要求7所述的器件，還包括：

兩個或更多個漂移漏極；

兩個或更多個反注入區域，每一個反注入區域都設置在漂移漏極和所述隱埋層的一部分之間；以及

源極和漏極，均設置在一個所述漂移漏極中。

9.根據權利要求8所述的器件，還包括：

p+型基礎結構，設置在所述主阱中以及所述主阱的表面，所述基礎結構在所述主阱的表面環繞所述源極和漏極；以及

STI結構，設置在所述主阱中以及所述基礎結構和所述源極和漏極之間。

10.一種器件，包括：

主阱，具有自所述主阱的第一面距離第一深度處的第一注入區域和自所述第一面距離第二深度處的第二注入區域，其中，所述第二深度小于所述第一深度；

隱埋層，設置在所述主阱的第二面；

多個漂移漏極，設置在所述主阱中且具有第一導電類型；以及

多個反注入區域，位于所述主阱中且具有第二導電類型，每一個反注入區域都設置在所述隱埋層和一個所述漂移漏極之間。