[發(fā)明專利]發(fā)光元件及其制作方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210429640.5
• 申請(qǐng)日: 2012-10-31
• 公開（公告）號(hào): CN103531686A
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳裕朝;劉艷;吳冠偉;王瑞慶;陳浩明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東莞市正光光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/36
• 分類號(hào): H01L33/36;H01L33/00
• 代理公司: 北京格羅巴爾知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11406
• 代理人: 方志煒

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及發(fā)光元件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種發(fā)光元件及其制作方法。

背景技術(shù)

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中氮化鎵（GaN）發(fā)光二極管（Light?EmittingDiode，LED）的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，該發(fā)光二極管包括依次形成于基板10上的n型氮化鎵層20、發(fā)光層30、p型氮化鎵層40以及氧化銦錫（ITO）層90，其中n型氮化鎵層20和p型氮化鎵層40被蝕刻掉一部分而暴露了部分n型氮化鎵層20，在該暴露的n型氮化鎵層20上形成有負(fù)電極82，在p型氮化鎵層40以及ITO層90上形成有正電極81，并在正電極81、ITO層90、n型氮化鎵層20以及負(fù)電極82上形成有保護(hù)層61。

由于藍(lán)寶石（Sapphire）制作的基板10不導(dǎo)電，故電極必須設(shè)置在發(fā)光二極管的正面，即正電極81形成于p型氮化鎵層40的正面，負(fù)電極82形成于n型氮化鎵20的正面。這種結(jié)構(gòu)中，無(wú)論發(fā)光二極管如何放置，其電流方向都是垂直的。但是在制作負(fù)電極82時(shí)，必須將發(fā)光二極管由p型氮化鎵層40的表面蝕刻至n型氮化鎵層20，且蝕刻的溝槽必須足夠?qū)挘拍芡ㄟ^(guò)打線的方式在n型氮化鎵層20的表面形成負(fù)電極82。這樣，原本由發(fā)光層30所在的區(qū)域構(gòu)成的發(fā)光區(qū)域就被蝕刻掉了一部分，從而影響了發(fā)光效果；另一方面由于藍(lán)寶石制作的基板10的導(dǎo)熱性較差，因此LED發(fā)光時(shí)所產(chǎn)生的熱量難以及時(shí)散出，從而會(huì)降低LED的性能。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是如何減少發(fā)光元件的遮光面積，并提高電流散布效率，增加發(fā)光元件的發(fā)光區(qū)域。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光元件，包括：

基板；

第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，位于所述基板上；

發(fā)光層，位于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的正面；

第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，位于所述發(fā)光層的正面；

正電極，位于所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的正面；以及

負(fù)電極，至少部分位于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的側(cè)面。

結(jié)合第一方面，在第一種可能的實(shí)施方式中，所述負(fù)電極至少還部分位于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的正面。

結(jié)合第一方面，在第二種可能的實(shí)施方式中，所述負(fù)電極至少還部分位于所述發(fā)光層的側(cè)面、所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的側(cè)面以及所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的正面。

結(jié)合第一方面或第一方面的第一種可能的實(shí)施方式，在第三種可能的實(shí)施方式中，所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的形成有所述負(fù)電極的側(cè)面為傾斜面。

結(jié)合第一方面或第一方面的第一或第二種可能的實(shí)施方式，在第四種可能的實(shí)施方式中，所述負(fù)電極至少部分位于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的一個(gè)側(cè)面、兩個(gè)側(cè)面、三個(gè)側(cè)面或者四個(gè)側(cè)面上。

結(jié)合第一方面的第三種可能的實(shí)施方式，在第五種可能的實(shí)施方式中，所述負(fù)電極至少部分位于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的一個(gè)側(cè)面、兩個(gè)側(cè)面、三個(gè)側(cè)面或者四個(gè)側(cè)面上。

結(jié)合第一方面，在第六種可能的實(shí)施方式中，還包括保護(hù)層，所述保護(hù)層位于所述正電極與所述負(fù)電極之間，并從所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層延伸至所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光元件制作方法，包括：

在基板上形成第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；

在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的正面形成發(fā)光層；

在所述發(fā)光層的正面形成第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；

形成第一溝槽，所述第一溝槽從所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層延伸至所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；

在所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的正面以及所述第一溝槽的底面和周面上形成反射層；

在所述反射層上形成電極層；以及

分離步驟：去除掉部分所述反射層和所述電極層，使得所述電極層分離成位于所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的正面的正電極和至少部分位于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的側(cè)面的負(fù)電極。

結(jié)合第二方面，在第一種可能的實(shí)施方式中，所述第一溝槽位于所述發(fā)光元件的一個(gè)側(cè)面、兩個(gè)側(cè)面、三個(gè)側(cè)面或四個(gè)側(cè)面上。

結(jié)合第二方面，在第二種可能的實(shí)施方式中，所述分離步驟包括：

去除掉部分所述反射層和所述電極層，使得所述電極層分離成位于所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的正面的正電極和至少部分位于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的側(cè)面和正面的負(fù)電極。

結(jié)合第二方面，在第三種可能的實(shí)施方式中，所述分離步驟包括：