[發(fā)明專利]一種瓦記錄磁盤的四級(jí)編址方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210429537.0 | 申請(qǐng)日: | 2012-11-01 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102999428A | 公開(公告)日: | 2013-03-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 萬(wàn)繼光;謝長(zhǎng)生;譚志虎;陳鵬;趙楠楠;毛宇;王繼彬 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華中科技大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G06F12/02 | 分類號(hào): | G06F12/02 |
| 代理公司: | 華中科技大學(xué)專利中心 42201 | 代理人: | 朱仁玲 |
| 地址: | 430074 湖北*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 記錄 磁盤 四級(jí)編址 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域,更具體地,涉及一種瓦記錄磁盤的四級(jí)編址方法。?
背景技術(shù)
互聯(lián)網(wǎng)的蓬勃發(fā)展、社會(huì)的數(shù)字化變革,導(dǎo)致了數(shù)字化的數(shù)據(jù)呈爆炸式增長(zhǎng)。根據(jù)市場(chǎng)分析公司IDC和存儲(chǔ)設(shè)備公司EMC的統(tǒng)計(jì),2006年全球數(shù)據(jù)內(nèi)容總量為161EB,2007年為281EB,2008年為487EB,2011年達(dá)到了驚人的1800EB。數(shù)據(jù)總量從2006年到2011年增長(zhǎng)了11倍多,以每年61%的速度指數(shù)增長(zhǎng)。IDC預(yù)測(cè)在未來(lái)10年文件總量會(huì)增長(zhǎng)75倍。爆炸式的信息增長(zhǎng)必然導(dǎo)致對(duì)存儲(chǔ)容量的需求大幅增長(zhǎng)。與此同時(shí),存儲(chǔ)需求持續(xù)飛速增長(zhǎng)對(duì)我們提出了一個(gè)重要的挑戰(zhàn)和機(jī)遇:在維持相同生產(chǎn)成本的條件下,如何進(jìn)一步提高單個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的容量來(lái)滿足強(qiáng)大的市場(chǎng)需求。磁盤作為主導(dǎo)存儲(chǔ)設(shè)備,如何在不增加生產(chǎn)成本的條件下進(jìn)一步提高磁記錄密度是當(dāng)前具有重要理論和商業(yè)意義的研究課題。?
雖然單個(gè)磁盤存儲(chǔ)容量過去以每年30–50%的速度增加,其增長(zhǎng)速度正在急劇放緩,主要原因是記錄技術(shù)、制造工藝和記錄材料等方面都遇到了技術(shù)的瓶頸難題。即使采用先進(jìn)的垂直磁記錄,磁盤存儲(chǔ)密度也僅為500GB/in2;而且,垂直磁記錄將接近由超順磁效應(yīng)限定理論值1TB/in2,因此提高空間和速度受到限制。?
瓦記錄方式被認(rèn)為是目前最有可能突破1TB/in2的磁記錄技術(shù),目前模擬的存儲(chǔ)密度可以達(dá)到3TB/in2。瓦記錄的原理主要是利用部分重疊磁道的記錄方式提高磁記錄密度,類似屋頂上的瓦片那樣重疊互扣,其實(shí)質(zhì)上?是通過縮短磁道寬度的方式實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的高密度記錄。由于磁道變窄使得磁記錄介質(zhì)將變小,對(duì)磁頭的靈敏度要求提高。重疊磁道和高靈敏度磁頭,相對(duì)于其他記錄技術(shù),在硬件上比較容易實(shí)現(xiàn)。但是,其主要問題就是隨機(jī)寫速度很慢。因?yàn)橥哂涗浲ㄟ^部分重疊相鄰磁道而使記錄信息的磁道變窄,如圖1所示,當(dāng)單個(gè)磁道上的數(shù)據(jù)被更新時(shí),相鄰連續(xù)磁道上的數(shù)據(jù)也必須重新擦寫一遍以防止由于磁頭寫操作過程中對(duì)鄰近磁道磁化擦除造成數(shù)據(jù)丟失。如果成功將瓦記錄應(yīng)用到磁盤上,磁盤容量將有望提高2.3-10陪,將對(duì)磁盤存儲(chǔ)技術(shù)產(chǎn)生重大的意義和影響。?
當(dāng)前瓦記錄存儲(chǔ)技術(shù)存在以下缺陷:?
1.需要管理大量的元數(shù)據(jù):因?yàn)橥哂涗洿嬖趯憯?shù)據(jù)覆蓋,數(shù)據(jù)經(jīng)常不能夠直接寫到原來(lái)的位置,該方式類似SSD,需要映射表等元數(shù)據(jù)管理,一般需要幾GB的元數(shù)據(jù)量,隨著磁盤容量的增大,這些元數(shù)據(jù)信息也會(huì)越來(lái)越大。而在有限的內(nèi)存情況下,這些元數(shù)據(jù)如何存儲(chǔ),對(duì)這些數(shù)據(jù)的讀寫性能也存在較大的影響。?
2.瓦記錄磁盤空間利用率問題:目前大多數(shù)的研究都是基于區(qū)的分布方式,即一個(gè)區(qū)由若干個(gè)瓦記錄磁道構(gòu)成,區(qū)與區(qū)之間需要間隙,這種間隙的存在導(dǎo)致大約10%的空間浪費(fèi);另外,區(qū)內(nèi)采用循環(huán)日志方式,循環(huán)日志的頭尾也需要幾個(gè)磁道的間隙,才能夠確保有效數(shù)據(jù)不被覆蓋;最后,采用日志方式,需要一定的冗余空間,才能夠進(jìn)行有效的垃圾回收。?
3.瓦記錄磁盤的寫放大問題:傳統(tǒng)基于磁道的編址便于發(fā)揮磁盤順序訪問的性能優(yōu)勢(shì),但在瓦記錄磁盤中,寫數(shù)據(jù)會(huì)覆蓋相鄰幾個(gè)磁道的數(shù)據(jù),采用傳統(tǒng)的編址,覆蓋的數(shù)據(jù)就在邏輯地址上是分散的,為了確保數(shù)據(jù)不丟失,目前采用循環(huán)日志的方法將相鄰幾個(gè)磁道上的數(shù)據(jù)都遷移到其它位置,然后再寫入數(shù)據(jù),這樣導(dǎo)致大量的數(shù)據(jù)遷移。這些多次的讀寫操作,不但增加了讀寫數(shù)據(jù)量,還導(dǎo)致磁頭在不同地方來(lái)回移動(dòng),間接地影響了隨機(jī)寫性能,導(dǎo)致性能成倍下降。?
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的缺陷,本發(fā)明的目的在于提供一種瓦記錄磁盤的四級(jí)編址方法,其針對(duì)瓦記錄磁盤隨機(jī)寫限制,對(duì)瓦記錄磁盤的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)和磁道布局進(jìn)行優(yōu)化,并且結(jié)合閃存和內(nèi)存的讀寫速度快優(yōu)勢(shì),組成三級(jí)架構(gòu)的瓦記錄磁盤系統(tǒng),來(lái)解決傳統(tǒng)瓦記錄磁盤的隨機(jī)寫性能差的問題,使其在倍增磁盤可用容量的同時(shí),避免性能的下降,并提高讀寫速度。?
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了一種瓦記錄磁盤的四級(jí)編址方法,包括以下步驟:?
(1)將瓦記錄磁盤的邏輯空間劃分為“區(qū)-段-塊-扇區(qū)”的四級(jí)結(jié)構(gòu);?
(2)采用徑向編址的方式對(duì)劃分后的四級(jí)結(jié)構(gòu)進(jìn)行編址;?
(3)采用對(duì)稱堆疊式的磁道布局對(duì)編址后的四級(jí)結(jié)構(gòu)的區(qū)間間隔進(jìn)行優(yōu)化;?
(4)對(duì)編址后的四級(jí)結(jié)構(gòu)的瓦記錄磁盤進(jìn)行讀寫操作,具體包括以下子步驟:?
(4-1)接收來(lái)自上層文件系統(tǒng)的讀寫請(qǐng)求,根據(jù)讀寫請(qǐng)求的邏輯地址進(jìn)行地址映射,以得到該請(qǐng)求對(duì)應(yīng)的區(qū)號(hào)、段號(hào)和塊號(hào),并判斷該讀寫請(qǐng)求是讀請(qǐng)求還是寫請(qǐng)求,如果是讀請(qǐng)求進(jìn)入步驟(4-2),否則進(jìn)入步驟(4-7);?
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