[發(fā)明專利]生長具有倒V形粗化表面氮化物L(fēng)ED外延片的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210429462.6
• 申請日: 2012-11-01
• 公開（公告）號: CN102969425A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李鴻漸;李盼盼;李志聰;李璟;王國宏
• 申請（專利權(quán)）人: 揚州中科半導(dǎo)體照明有限公司
• 主分類號: H01L33/22
• 分類號: H01L33/22
• 代理公司: 揚州市錦江專利事務(wù)所 32106
• 代理人: 江平

1.生長具有倒V形粗化表面氮化物L(fēng)ED外延片的方法，其特征在于包括以下步驟：

1）在藍寶石襯底上，采用金屬有機物化學(xué)氣相沉積法生長一層Al_(x)Ga_(1-x)N高溫緩沖層；

其中，x為0~100；

2）升溫，使Al_(x)Ga_(1-x)N緩沖層再結(jié)晶成核，選擇在壓力為500～800?mbar和N?:Ga摩爾比為800~1200︰1條件下進行GaN外延膜生長，以獲得位錯密度為1×10^8?～1×10⁹cm^-2的u-GaN外延膜；

3）在u-GaN外延膜上依次外延生長LED所需的n-GaN和多量子阱MQWs；

4）在低溫高壓條件下，于多量子阱MQWs上生長pGaN，以獲得具有倒V形的粗化表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述生長具有倒V形粗化表面氮化物L(fēng)ED外延片的方法，其特征在于步驟1）生長的所述Al_(x)Ga_(1-x)N高溫緩沖層的厚度為25～100nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述生長具有倒V形粗化表面氮化物L(fēng)ED外延片的方法，其特征在于所述步驟1）中生長的溫度條件為600～1200℃，壓力條件為50～600?mbar。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述生長具有倒V菜粗化表面氮化物L(fēng)ED外延片的方法，其特征在于步驟4）的所述pGaN中，N和Ga的摩爾比為500～1200︰1。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述生長具有倒V形粗化表面氮化物L(fēng)ED外延片的方法，其特征在于所述步驟4）中生長溫度條件為750～1200℃，生長壓力條件為400～1000?mbar。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述生長具有倒V形粗化表面氮化物L(fēng)ED外延片的方法，其特征在于所述步驟4）中，所述生長是在750～800℃的低溫條件下。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述生長具有倒V形粗化表面氮化物L(fēng)ED外延片的方法，其特征在于所述步驟4）中，所述生長是先750～800℃條件下生長2000～4000s，然后在壓力不變的條件下，再升溫至1000～1200℃生長200～400?s。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述生長具有倒V形粗化表面氮化物L(fēng)ED外延片的方法，其特征在于所述步驟4）中，采用Mg元素進行P型摻雜，摻雜濃度為1×10¹⁷～5×10^19?cm^-3。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述生長具有倒V形粗化表面氮化物L(fēng)ED外延片的方法，其特征在于步驟4）所述pGaN的厚度為300～800?nm。