[發明專利]一種SRAM噪聲容限測量方法

無效

• 申請號: 201210429198.6
• 申請日: 2012-11-01
• 公開（公告）號: CN102915771A
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發明（設計）人: 張震;戚湧
• 申請（專利權）人: 南京理工大學常熟研究院有限公司
• 主分類號: G11C29/50
• 分類號: G11C29/50
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種SRAM噪聲容限測量方法，其特征在于：

一、首先兩種坐標系下的SRAM中的反相器轉移特性交疊而成的蝶形圖，其中F1曲線為SRAM中通過仿真反相器而得出的特征曲線，F2’為反相器特征曲線關于y=x軸的對稱曲線，兩者組成蝶形曲線構成蝶形圖；

二、將x-y坐標系順時針轉到90度，變成u-v坐標系，噪聲容限為最大正方形的邊長值；

三、在u-v坐標下，F1曲線的v值減去F2’曲線對應的v值，得到曲線，從而curve?A曲線中，|v|max為最大正方形的對角線值；

四、用u-v來表示出x-y坐標系，由于將x-y坐標系順時針轉到90度，從而可以得出：

五、同時將此x，y值代入反相器特性曲線y=F1(x)，y=F2(x)中得出u-v坐標系下反相器轉移特性表達式：

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六、最后通過此表達式將噪聲容限測量構建電路仿真圖，從而通過對電路的構建與仿真準確得出噪聲容限。

2.根據權利要求1所述的SRAM噪聲容限測量方法，其特征在于：所述的構建電路仿真的方法包括:?

一、電壓控制電壓源來表示電壓源，壓控電壓源E1和E2的增益均為0.7071，連接于SRAM中的一個反相器I22，加載到增益為1.4142壓控電壓源E3并和增益為1的壓控電壓源E4連接構成V1；電路的下半部分，壓控電壓源E9和E8的增益分別為0.7071，-0.7071，連接于SRAM中的另一個反相器I23，以此作為輸入加載到增益為1.4142的壓控電壓源E5并和增益為-1的壓控電壓源E4連接構成V2；

二、V1和V2作為壓控電壓源E10的輸入分別加載到正負兩段構成V1-V2，便得到如上所述的曲線curveA，乘以0.7071的增益，從而得到噪聲容限值。