[發(fā)明專利]高純度二氧化硅的制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210428547.2 | 申請日： | 2012-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN102874821A | 公開（公告）日： | 2013-01-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 吳以舜;李根長;程志林;朱文彬;張冠軍 | 申請（專利權(quán)）人： | 天津舜能潤滑科技股份有限公司 |
| 主分類號： | C01B33/12 | 分類號： | C01B33/12;C01C1/16 |
| 代理公司： | 天津才智專利商標代理有限公司 12108 | 代理人： | 王顕 |
| 地址： | 300384 天津市濱海新*** | 國省代碼： | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 純度 二氧化硅 制備 方法 | ||
1.一種高純度二氧化硅的制備方法，其特征在于包括以下步驟：
1）硅藻土和氟化銨水溶液在80~90℃下反應(yīng)生成氟硅酸銨溶液和氨氣，所述氟硅酸銨溶液經(jīng)過濾和高速離心后除去雜質(zhì)，實現(xiàn)初步提純；所述氨氣經(jīng)純水吸收，制成高純氨水；
2）將初步提純后的氟硅酸銨溶液經(jīng)過多次蒸發(fā)結(jié)晶，通過固液分離進行二次提純，然后通過洗滌得到高純度氟硅酸銨固體；
3）將所述高純度氟硅酸銨固體加熱到100~150℃，使其分解生成四氟化硅氣體和氟化銨氣體；
4）將所述四氟化硅和氟化銨氣體導(dǎo)入到反應(yīng)設(shè)備中，使其與高純氨水進行氨解反應(yīng)，生成二氧化硅沉淀；
5）將所述二氧化硅沉淀通過高速離心脫水、洗滌和真空干燥，得到純度大于6N的高純度二氧化硅粉體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：在步驟2）中，將所述提純后的氟硅酸銨溶液放入三效蒸發(fā)結(jié)晶器中，經(jīng)過三次蒸發(fā)結(jié)晶實現(xiàn)固液分離。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：在步驟3）中，將所述高純度氟硅酸銨固體放入熱分解反應(yīng)器中加熱分解。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述硅藻土中SiO2的含量為95%左右。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟2）中制得的高純度氟硅酸銨固體純度≥4N。
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