[發(fā)明專利]一種用于電阻抗映射成像的感興趣目標(biāo)體立體定位方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210428535.X | 申請(qǐng)日: | 2012-10-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102894977A | 公開(公告)日: | 2013-01-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 季振宇;董秀珍;史學(xué)濤;尤富生;付峰;劉銳崗;王威;王楠;馬航 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國人民解放軍第四軍醫(yī)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | A61B5/053 | 分類號(hào): | A61B5/053;A61B5/05 |
| 代理公司: | 西安恒泰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 61216 | 代理人: | 李鄭建 |
| 地址: | 710032 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 阻抗 映射 成像 感興趣 目標(biāo) 立體 定位 方法 | ||
1.一種用于電阻抗映射成像的感興趣目標(biāo)體立體定位估測(cè)方法,其特征在于,包括以下步驟:
1)基于電磁場計(jì)算模型計(jì)算分析,建立感興趣目標(biāo)體深度近似求解公式;
2)在電阻抗映射成像實(shí)際測(cè)量中,根據(jù)灰度圖像確定感興趣目標(biāo)體的二維空間位置;
3)建立電阻抗映射成像實(shí)際測(cè)量數(shù)值與感興趣目標(biāo)體深度近似求解公式中參數(shù)的對(duì)應(yīng)關(guān)系;
4)將感興趣目標(biāo)體的空間二維信息與目標(biāo)體的深度信息結(jié)合,獲得感興趣目標(biāo)體的空間立體定位參數(shù)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述的基于電磁場計(jì)算模型建立感興趣目標(biāo)體深度近似求解公式,求解過程是:
1)在電磁場模型計(jì)算時(shí),設(shè)定感興趣目標(biāo)體引起的電場擾動(dòng)感興趣區(qū)域主要分布在檢測(cè)電極面下的半球形區(qū)域內(nèi),同時(shí)假設(shè)擾動(dòng)感興趣目標(biāo)體近似為球體。
2)在電磁場模型計(jì)算時(shí),分別在檢測(cè)區(qū)域中包含感興趣目標(biāo)體和不包含感興趣目標(biāo)體這兩種條件下,求解檢測(cè)電極表面的電流密度表達(dá)式;
3)利用檢測(cè)電極平面的電流信息及相應(yīng)電極單元的位置信息表示感興趣目標(biāo)區(qū)域的深度,得到感興趣目標(biāo)體的深度求解公式。
3.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述的感興趣目標(biāo)體深度近似求解公式中的關(guān)鍵參數(shù)包括i(x0,y0),i0(x0,y0),i(a,b),i0(a,b),其中i(x0,y0)是感興趣目標(biāo)體在檢測(cè)電極面上投影區(qū)中心位置的測(cè)量值其電極坐標(biāo)為(x0,y0),i0(x0,y0)是感興趣目標(biāo)體不存在時(shí)對(duì)應(yīng)于電極坐標(biāo)(x0,y0)處的測(cè)量值,i(a,b)感興趣目標(biāo)體在檢測(cè)電極面上投影區(qū)中心位置外任意坐標(biāo)(a,b)處的測(cè)量值,i0(a,b)是感興趣目標(biāo)體不存在時(shí)對(duì)應(yīng)于電極坐標(biāo)(a,b)處的測(cè)量值。
4.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述的建立電阻抗映射成像實(shí)際測(cè)量數(shù)值與感興趣目標(biāo)體深度近似求解公式中參數(shù)的對(duì)應(yīng)關(guān)系,其步驟如下:
1)首先根據(jù)電阻抗映射成像二維灰度圖確定感興趣目標(biāo)體在檢測(cè)電極平面的投影區(qū)域范圍;
2)求解感興趣目標(biāo)體在檢測(cè)電極平面投影區(qū)域以外的所有測(cè)量值的平均值Imean;
3)確定感興趣目標(biāo)體所對(duì)應(yīng)的最大測(cè)量值Imax,及該最大測(cè)量值所對(duì)應(yīng)的電極單元坐標(biāo)(Xmax,Ymax);
4)確定感興趣目標(biāo)體在檢測(cè)電極平面投影區(qū)域內(nèi)實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)曲線的半峰值Ihalf,即Ihalf=1/2(Imax-Imean),并進(jìn)一步尋找接近Ihalf值的實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)所對(duì)應(yīng)檢測(cè)電極單元的坐標(biāo)(Xhalf,Yhalf);
5)建立實(shí)際測(cè)量數(shù)值與深度近似求解公式中各參數(shù)的對(duì)應(yīng)關(guān)系。
5.如權(quán)利要求3或4所述方法,其特征在于,所述的建立實(shí)際測(cè)量數(shù)值與深度近似求解公式中各參數(shù)的對(duì)應(yīng)關(guān)系是將實(shí)際測(cè)量數(shù)值帶入深度近似求解公式計(jì)算時(shí),用Imax替代i(x0,y0),用Ihalf替代i(a,b),用Imean替代i0(x0,y0)和i0(a,b)。
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