[發明專利]波長轉換器件、其制造方法以及相關波長轉換裝置

有效

• 申請號: 201210428516.7
• 申請日: 2012-10-31
• 公開（公告）號: CN103792767A
• 公開（公告）日: 2014-05-14
• 發明（設計）人: 楊毅
• 申請（專利權）人: 深圳市繹立銳光科技開發有限公司
• 主分類號: G03B21/20
• 分類號: G03B21/20;G03B21/14
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種波長轉換器件的制作方法，其特征在于，該制作方法包括如下步驟：

a)在第一表面為<100>晶面或者<110>晶面的單晶硅片的第一表面上形成掩膜層，該掩膜層的第一預定位置形成有無掩膜區陣列，該無掩膜區陣列包括多個無掩膜區；或者在該掩膜層的第一預定位置處形成無掩膜區，其中該無掩膜區填充有掩膜區陣列中的多個有掩膜區；

b)將該單晶硅片放置于預定的濕法腐蝕液中進行腐蝕，以使得經腐蝕后的單晶硅片的第一表面上對應無掩膜區陣列或者有掩膜區陣列的位置形成微結構陣列，該微結構陣列包括多個微結構；

c)在單晶硅片帶有微結構陣列的表面上均鍍上反射膜，使得該反射膜的表面的起伏與所述微結構陣列的起伏一致；

d)在所述反射膜上覆蓋波長轉換層，使得該波長轉換層的表面的起伏與所述微結構陣列的起伏一致。

2.根據權利要求1所述的波長轉換器件的制作方法，其特征在于，所述步驟a)包括：

1）在所述單晶硅片的第一表面上沉積掩膜層，該掩膜層為金屬化合物；

2）將光敏膠涂覆于所述掩膜層的完整表面上；

3）將涂覆有光敏膠的掩膜層上的光敏膠的部分位置曝光，使得該光敏膠上的曝光位置或者未曝光位置為第一預定位置；

4）將曝光的單晶硅片放入顯影液中，使得位于所述掩膜層上的第一預定位置上的光敏膠被顯影液處理掉；

5）將經顯影液處理后的單晶硅片上未被光敏膠覆蓋的掩膜層去除，形成無掩膜區陣列或者無掩膜區。

3.根據權利要求1所述的波長轉換器件的制作方法，其特征在于，所述掩膜層為一種光敏膠，該光敏膠對堿有耐受能力；

所述步驟a包括：

I）在所述單晶硅片的第一表面上涂覆光敏膠作為掩膜層；

II)將所述光敏膠的部分位置曝光，使得該光敏膠上的曝光位置或者未曝光位置為第一預定位置；

III)將曝光的光敏膠放入顯影液中，使得位于該光敏膠上的第一預定位置上的掩膜層被顯影液處理掉，形成無掩膜區陣列或者無掩膜區。

4.根據權利要求2或3所述的波長轉換器件的制作方法，其特征在于，在所述步驟b)之后、步驟c）之前還包括：將剩余的光敏膠去除。

5.根據權利要求1所述的波長轉換器件的制作方法，其特征在于，第一表面上的掩膜層的第一預定位置形成有無掩膜區陣列，該無掩膜區陣列呈方形開口陣列狀。

6.根據權利要求1所述的波長轉換器件的制作方法，其特征在于，所述微結構陣列中各微結構的底部不存在與第一表面一樣的晶面。

7.根據權利要求1所述的波長轉換器件的制作方法，其特征在于，所述步驟d)包括：

d1)將波長轉換材料顆粒和無機粘結劑顆粒分散或溶解于分散液中；

d2)將該分散液傾倒于底面盛放有所述單晶硅片的容器內，使波長轉換材料顆粒沉降于該單晶硅片的反射膜上，覆蓋該反射膜的表面并形成波長轉換層；

d3)沉降完成后取出該波長轉換器件并烘干。

8.根據權利要求13所述的波長轉換器件的制作方法，其特征在于，所述步驟d2)之后還包括：

對所述波長轉換層噴灑液態膠水，使其滲入該波長轉換層內。

9.根據權利要求1所述的波長轉換器件的制作方法，其特征在于，所述步驟d)包括：

d1)將所述單晶硅片放置于分散有波長轉換材料顆粒的電泳液中；

d2)對所述電泳液施加電場，使得該溶液中帶有表面電荷的波長轉換材料顆粒吸附到該單晶硅片的反射膜的表面上。

10.根據權利要求1所述的波長轉換器件的制作方法，其特征在于，所述步驟d)包括：

d1)將波長轉換材料顆粒與液態的膠水或者固態的有機物顆粒混合在一起形成混合物；

d2)將該混合物噴灑于所述單晶硅片的反射膜的表面以形成波長轉換層；

d3)對所述波長轉換層加熱以固化該波長轉換層。

11.一種波長轉換器件，其特征在于，該波長轉換器件根據權利要求1至16中任一項所述方法制作得到。

12.一種波長轉換裝置，其特征在于，包括權利要求11所述的波長轉換器件，還包括：

基底，所述波長轉換器件固定于該基底上；

驅動裝置，用于對所述基底進行驅動，以使得所述波長轉換器件按預定方式運動。