[發明專利]四方晶結構的銦靶材

無效

• 申請號: 201210428240.2
• 申請日: 2012-10-31
• 公開（公告）號: CN103789729A
• 公開（公告）日: 2014-05-14
• 發明（設計）人: 許舒惠;林俊榮;張博欽;杜承鑫
• 申請（專利權）人: 光洋應用材料科技股份有限公司
• 主分類號: C23C14/14
• 分類號: C23C14/14;C23C14/34
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;鮑俊萍

1.一種四方晶結構的銦靶材，其特征在于，其平均晶粒尺寸介于10μm至500μm之間。

2.根據權利要求1所述的四方晶結構的銦靶材，其特征在于，其平均晶粒尺寸介于10μm至400μm之間。

3.根據權利要求1所述的四方晶結構的銦靶材，其特征在于，其二端的平均晶粒尺寸的比值介于0.5至2.0之間。

4.根據權利要求1所述的四方晶結構的銦靶材，其特征在于，其氧含量不大于50ppm。

5.根據權利要求1所述的四方晶結構的銦靶材，其特征在于，其鐵含量不大于20ppm。

6.根據權利要求1所述的四方晶結構的銦靶材，其特征在于，其鋅含量不大于20ppm。

7.根據權利要求1所述的四方晶結構的銦靶材，其特征在于，其錫含量不大于20ppm。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的四方晶結構的銦靶材，其特征在于，其表面包含以下晶面：(101)、(103)、(200)、(112)、(110)、(211)、(202)以及(002)。

9.根據權利要求8所述的四方晶結構的銦靶材，其特征在于，其為平面靶材。

10.根據權利要求9所述四方晶結構的銦靶材，其特征在于，其中毎一晶面的強度比例與12.5%的比值介于0.5至2.0之間。

11.根據權利要求9所述四方晶結構的銦靶材，其特征在于，其中一晶面的強度比例與12.5%的比值大于2。

12.根據權利要求8所述四方晶結構的銦靶材，其特征在于，其為異型靶材。

13.根據權利要求12所述四方晶結構的銦靶材，其特征在于，其中每一晶面的強度比例與12.5%的比值介于0.5至2.0之間。