[發明專利]一種相位插值器電路及相位插值信號處理方法

有效

• 申請號: 201210428077.X
• 申請日: 2012-10-31
• 公開（公告）號: CN103795404B
• 公開（公告）日: 2017-10-31
• 發明（設計）人: 劉昌
• 申請（專利權）人: 中興通訊股份有限公司;深圳市中興微電子技術有限公司
• 主分類號: H03L7/00
• 分類號: H03L7/00;H03K17/14
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司11270
• 代理人: 張穎玲,蔣雅潔

1.一種相位插值器電路，其特征在于，包括場效應管開關電路，主數模轉換裝置和輔數模轉換裝置，其中，

所述場效應管開關電路通過自身的第一端口與時鐘信號輸入端連接，通過自身的第二端口與信號輸出端相連接，并通過自身的第三端口分別與輔數模轉換裝置和主數模轉換裝置相連接；

所述主數模轉換裝置通過自身的第一端口與數字信號輸入端相連接，用于將數字信號輸入端輸入的數字信號轉換為模擬電流信號，并將轉換的模擬電流信號通過自身的第二端口輸出給場效應管開關電路，用以調整場效應管開關電路的電流信號；

所述輔數模轉換裝置通過自身的第一端口與數字信號輸入端相連接，用于根據主數模轉換裝置輸出給場效應管開關電路的模擬電流信號，以及時鐘信號輸入端輸入的時鐘信號，將數字信號輸入端輸入的數字信號轉換為需要為場效應管開關電路進行高階補償的模擬電流信號，并將轉換的模擬電流信號通過自身的第二端口輸出給場效應管開關電路，用以輔助主數模轉換裝置調整場效應管開關電路的電流信號。

2.如權利要求1所述的相位插值器電路，其特征在于，所述場效應管開關電路包括第一N型金屬-氧化物-半導體場效應晶體管NMOS和第二NMOS；

所述場效應管開關電路通過自身的第一端口與時鐘信號輸入端連接，通過自身的第二端口與信號輸出端相連接，并通過自身的第三端口分別與輔數模轉換裝置和主數模轉換裝置相連接，具體為：

第一NMOS的漏極與正信號輸出端OUTP連接，其柵極與時鐘信號輸入端連接，其源極分別與輔數模轉換裝置和主數模轉換裝置連接；

所述第二NMOS的漏極與負信號輸出端OUTN連接，其柵極與時鐘信號輸入端連接，其源極分別與輔數模轉換裝置和主數模轉換裝置連接。

3.如權利要求1所述的相位插值器電路，其特征在于，所述輔數模轉換裝置為將數字信號轉化為電流值大小可調的模擬電流信號的裝置，其中，所述電流值的調整范圍為倍的主數模轉換裝置電流值。

4.一種相位插值器電路，其特征在于，包括四個場效應管開關電路，每個場效應管開關電路分別連接一個輔數模轉換裝置，和一個主數模轉換裝置，其中，

每個場效應管開關電路分別通過自身的第一端口與時鐘信號輸入端連接，通過自身的第二端口分別與信號輸出端相連接，并通過自身的第三端口分別與和自身連接的輔數模轉換裝置和主數模轉換裝置相連接；

所述主數模轉換裝置通過自身的第一端口與數字信號輸入端相連接，用于將數字信號輸入端輸入的數字信號轉換為模擬電流信號，并將轉換的模擬電流信號通過自身的第二端口輸出給所述四個場效應管開關電路，用以調整場效應管開關電路的電流信號；

每個輔數模轉換裝置分別通過自身的第一端口與數字信號輸入端相連接，用于根據主數模轉換裝置輸出給場效應管開關電路的模擬電流信號，以及時鐘信號輸入端輸入的時鐘信號，將數字信號輸入端輸入的數字信號轉換為需要為場效應管開關電路進行高階補償的模擬電流信號，并將轉換的模擬電流信號分別通過自身的第二端口輸出給與自身連接的場效應管開關電路，用以輔助主數模轉換裝置調整與自身連接的場效應管開關電路的電流信號。

5.如權利要求4所述的相位插值器電路，其特征在于，所述四個場效應管開關電路均包括第一N型金屬-氧化物-半導體場效應晶體管NMOS和第二NMOS；

所述場效應管開關電路通過自身的第一端口與時鐘信號輸入端連接，通過自身的第二端口與信號輸出端相連接，并通過自身的第三端口分別與輔數模轉換裝置和主數模轉換裝置相連接，具體為：

第一NMOS的漏極與正信號輸出端OUTP連接，其柵極與時鐘信號輸入端連接，其源極分別與輔數模轉換裝置和主數模轉換裝置連接；

所述第二NMOS的漏極與負信號輸出端OUTN連接，其柵極與時鐘信號輸入端連接，其源極分別與輔數模轉換裝置和主數模轉換裝置連接。

6.如權利要求4所述的相位插值器電路，其特征在于，所述四個輔數模轉換裝置均為將數字信號轉化為電流值大小可調的模擬電流信號的裝置，其中，所述電流值的調整范圍為倍的主數模轉換裝置電流值。