[發(fā)明專利]制作電子組件的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210427823.3
• 申請日: 2012-10-31
• 公開（公告）號: CN103117229A
• 公開（公告）日: 2013-05-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 大衛(wèi)·K·富特;詹姆士·D·格蒂;趙建鋼
• 申請（專利權(quán)）人: 諾信公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/60
• 代理公司: 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11219
• 代理人: 張建濤;車文

1.一種制作電子組件的方法，所述電子組件具有襯底和多個電路元件，所述方法包括：

在所述襯底上形成液體屏障；

在所述液體屏障的一側(cè)上放置第一電路元件；

在所述液體屏障的相對側(cè)上放置第二電路元件；

將液體施加至所述第一電路元件；以及

使用所述液體屏障來防止施加至所述第一電路元件的液體污染所述第二電路元件，使得能夠最小化所述第一電路元件和第二電路元件之間的間隔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述襯底上形成液體屏障包括：

將焊料掩膜材料層施加至所述襯底；以及

將所述層暴露至等離子體，以增加所述焊料掩膜材料的疏水性。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，將所述層暴露至等離子體包括：

從包含氟的源氣體形成所述等離子體；以及

通過暴露至所述等離子體而氟化所述焊料掩膜材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述液體為底部填充材料，所述第一電路元件為裸片，并且，將液體施加至所述第一電路元件包括：

在鄰近所述裸片的邊緣的接觸區(qū)域上，將所述底部填充材料分配到所述層上。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述第二電路元件為裸片，并且，使用所述液體屏障來防止施加至所述第一電路元件的液體污染所述第二電路元件包括：

防止所述底部填充材料移動離開所述第一裸片以污染所述第二裸片。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述液體為粘合劑，所述第一電路元件為裸片，并且，將液體施加至所述第一電路元件包括：

將所述粘合劑分配到在所述襯底上的裸片附接焊盤上。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述第二電路元件為接合焊盤，并且，使用所述液體屏障來防止施加至所述第一電路元件的液體污染所述第二電路元件包括：

使所述裸片接觸在所述裸片附接焊盤上的所述粘合劑；以及

防止所述粘合劑移動離開所述裸片附接焊盤以污染所述接合焊盤。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述液體為粘合劑，所述第一電路元件為裸片，并且，將液體施加至所述第一電路元件包括：

將所述粘合劑分配至在所述襯底上的裸片附接焊盤上；以及

使所述裸片接觸在所述裸片附接焊盤上的所述粘合劑。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述液體為底部填充材料，所述第一電路元件為裸片，并且，將液體施加至所述第一電路元件還包括：

鄰近所述裸片的邊緣分配所述底部填充材料。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一電路元件為裸片，并且，所述第二電路元件為第二裸片。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一電路元件為第一裸片，并且，所述第二電路元件為在所述襯底上的接合焊盤。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述襯底上形成液體屏障包括：

緊鄰所述襯底上的用于將所述第一電路元件附接至所述襯底的表面區(qū)域的外邊界形成壩形體。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，形成所述壩形體包括：

對在所述襯底上的區(qū)域進行掩膜；以及

在所述襯底上的未經(jīng)掩膜的區(qū)域上沉積聚合物，以形成所述壩形體。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，在所述襯底上的未經(jīng)掩膜的區(qū)域上沉積聚合物材料還包括：

從源氣體形成等離子體，所述源氣體包含聚合物形成加工氣體；以及

將所述未經(jīng)掩膜的區(qū)域暴露至所述等離子體，以從所述等離子體沉積所述聚合物。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述壩形體包圍在所述襯底上的表面區(qū)域的外邊界。