[發(fā)明專(zhuān)利]一種減反射異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池及其制備方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210427530.5
• 申請(qǐng)日: 2012-12-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102938429A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-02-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張杰
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 國(guó)電光伏（江蘇）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L31/0745
• 分類(lèi)號(hào): H01L31/0745;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18;H01L31/20
• 代理公司: 南京蘇高專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

1.一種減反射異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于，該電池包括硅片襯底(1)、鈍化層(2)、背電極(3)、發(fā)射層(4)、透明導(dǎo)電薄膜層(5)、減反層(6)和前電極(7)；其中：硅片襯底(1)的背表面上沉積鈍化層(2)，背電極(3)沉積在鈍化層(2)上，硅片襯底(1)的正表面上沉積發(fā)射層(4)，發(fā)射層(4)上沉積透明導(dǎo)電薄膜層(5)，透明導(dǎo)電薄膜層(5)上沉積至少一層減反層(6)，減反層(6)上設(shè)置前電極(7)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減反射異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于：所述硅片襯底(1)是n型或p型，選用電阻率為1～10Ωcm單晶硅或多晶硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減反射異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于：所述鈍化層(2)是單層或多層的硅薄膜，其中至少一層硅薄膜與硅片襯底(1)的摻雜類(lèi)型相同，鈍化層(2)的厚度是20～50nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減反射異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于：所述背電極(3)是金屬鋁膜，或者是導(dǎo)電薄膜層和金屬鋁膜形成的多層膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減反射異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于：所述發(fā)射層(4)是是單層或多層的硅薄膜，其中至少一層硅薄膜與硅片襯底(1)的摻雜類(lèi)型相反，發(fā)射層(4)的厚度是10～40nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減反射異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于：所述減反層(6)是單層膜或多層膜，減反層(6)是Si₃N₄層，厚度是70～100nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減反射異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于：所述透明導(dǎo)電薄膜層(5)，材質(zhì)是金屬氧化物，厚度是50～80nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求3或5所述的減反射異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于：所述硅薄膜選自非晶硅、微晶硅、非晶硅鍺、非晶碳化硅和納米硅中的一種或多種。

9.一種減反射異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)使用HF溶液對(duì)硅片襯底(1)進(jìn)行表面清洗；

(2)在硅片襯底(1)的背表面利用PECVD方法沉積鈍化層(2)；

(3)在鈍化層(2)表面利用磁控濺射方法沉積背電極(3)；

(4)在硅片襯底(1)的正表面利用PECVD方法沉積發(fā)射層(4)；

(5)在發(fā)射層(4)上利用磁控濺射沉積透明導(dǎo)電薄膜層(5)；

(6)在透明導(dǎo)電薄膜層(5)上利用PECVD方法沉積減反層(6)；

(7)在減反層(6)上通過(guò)絲網(wǎng)印刷前電極(7)，并將前電極(7)燒結(jié)在導(dǎo)電薄膜層(5)上。