[發(fā)明專利]高電子遷移率晶體管及其制造方法

無效

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• 申請日: 2012-10-31
• 公開（公告）號: CN103311289A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 崔赫洵;金鐘燮;申在光;吳在浚;河種奉;黃仁俊
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/417;H01L29/423;H01L21/335
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 屈玉華

1.一種高電子遷移率晶體管，包括：

緩沖層；

溝道層，形成在所述緩沖層上并包括二維電子氣溝道；

溝道提供層，形成在所述溝道層上；

源電極、漏電極和柵電極，形成在所述溝道提供層上；

源極接觸墊，連接到所述源電極；

漏極接觸墊，連接到所述漏電極；以及

柵極接觸墊，連接到所述柵電極，

其中所述源極接觸墊、所述漏極接觸墊和所述柵極接觸墊中的一個或兩個設(shè)置在所述緩沖層的外表面上，其余接觸墊設(shè)置在不同方向上。

2.如權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其中所述源極接觸墊和所述柵極接觸墊設(shè)置在所述緩沖層的外表面上，所述漏極接觸墊設(shè)置在所述不同方向上。

3.如權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其中設(shè)置在所述緩沖層的外表面上的所述一個或兩個接觸墊通過穿過所述緩沖層、所述溝道層和所述溝道提供層而連接到相應(yīng)的電極。

4.如權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其中所述漏極接觸墊和所述柵極接觸墊設(shè)置在所述緩沖層的所述外表面上，所述源極接觸墊設(shè)置在所述不同方向上。

5.如權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其中所述源極接觸墊、所述漏極接觸墊、所述柵極接觸墊通過設(shè)置在二維電子氣溝道外的墊而分別連接到所述源電極、所述漏電極和所述柵電極。

6.如權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其中在所述不同方向上設(shè)置的接觸墊通過所述接合金屬層和接合到所述接合金屬層的導(dǎo)電承載晶片而連接到相應(yīng)的電極。

7.如權(quán)利要求6所述的高電子遷移率晶體管，其中所述導(dǎo)電承載晶片包括硅、金屬、鋁氮化物或直接敷銅。

8.如權(quán)利要求6所述的高電子遷移率晶體管，其中所述接合金屬層包括包含Cu、Au和Sn之一的合金。

9.如權(quán)利要求1所述的高電子遷移率晶體管，其中所述源極接觸墊、所述漏極接觸墊和所述柵極接觸墊是金屬墊或高摻雜硅墊。

10.一種制造高電子遷移率晶體管的方法，該方法包括：

在硅基板上順序地形成緩沖層、包括二維電子氣溝道的溝道層以及溝道提供層；

在所述溝道提供層上形成源電極、漏電極和柵電極；

形成連接到所述源電極的源極接觸墊；

形成連接到所述漏電極的漏極接觸墊；以及

形成連接到所述柵電極的柵極接觸墊，

其中所述源極接觸墊、所述漏極接觸墊和所述柵極接觸墊中的一個或兩個形成在所述緩沖層的外表面上，其余接觸墊形成在不同方向上。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述源極接觸墊和所述柵極接觸墊形成在所述緩沖層的外表面上，所述漏極接觸墊形成在所述不同方向上。

12.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述漏極接觸墊和所述柵極接觸墊形成在所述緩沖層的外表面上，所述源極接觸墊形成在所述不同方向上。

13.如權(quán)利要求10所述的方法，其中在所述緩沖層的外表面上形成接觸墊包括：

形成通孔，該通孔穿過所述緩沖層、所述溝道層和所述溝道提供層并且暴露與所述接觸墊相應(yīng)的電極；以及

用所述接觸墊的材料填充所述通孔。

14.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述源極接觸墊、所述漏極接觸墊和所述柵極接觸墊通過在所述二維電子氣溝道外形成的墊分別連接到所述源電極、所述漏電極和所述柵電極。

15.如權(quán)利要求10所述的方法，其中在不同方向上形成接觸墊包括：

形成接合金屬層，該接合金屬層連接到與所述接觸墊相關(guān)的電極，該接觸墊形成在所述不同方向上；

將導(dǎo)電承載晶片貼附到所述接合金屬層；以及

在所述導(dǎo)電承載晶片上形成接觸墊，該接觸墊形成在所述不同方向上。

16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述導(dǎo)電承載晶片包括硅、金屬、AlN或直接敷銅。

17.如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述接合金屬層包括包含Cu、Au和Sn之一的合金。

18.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述源極接觸墊、所述漏極接觸墊和所述柵極接觸墊是金屬墊或高摻雜硅墊。