[發明專利]半導體電容及具有該半導體電容的半導體裝置

有效

• 申請號: 201210426774.1
• 申請日: 2012-10-31
• 公開（公告）號: CN103794655B
• 公開（公告）日: 2018-05-22
• 發明（設計）人: 楊俊平;張大鵬
• 申請（專利權）人: 天鈺科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/92
• 分類號: H01L29/92;H01L29/06
• 代理公司: 深圳市鼎言知識產權代理有限公司 44311
• 代理人: 徐麗昕

本發明涉及一種半導體電容及具有該半導體電容的半導體裝置。該半導體電容包括：下電極板，該下電極板包括電容井區及設置于該電容井區上的擴散區，該電容井區與該擴散區均具有第一導電型，且該擴散區的摻雜濃度高于該電容井區的摻雜濃度；絕緣層，該絕緣層設置于該下電極板上；及上電極板，該上電極板設置于該絕緣層上；其中，該電容井區包括第一子井區，該第一子井區至少為該電容井區的部分區域，該第一子井區的摻雜濃度達到一預定摻雜濃度，以使得該半導體電容的最大電容值與最小電容值之差值占該最大電容值的百分比不超過70%。該半導體電容以及具有該半導體電容的半導體裝置的工作性能較好。

技術領域

本發明涉及一種半導體電容及具有該半導體電容的半導體裝置。

背景技術

目前，半導體裝置，如液晶顯示器的驅動芯片，通常集成有半導體電容。該半導體電容，如N井(N-WELL)電容或P井(P-WELL)電容等，一旦操作在耗盡區(depletion region)與反轉區(inversion region)時，該半導體電容整體的電容值會大幅下降。從而，影響該半導體電容以及具有該半導體電容的半導體裝置的工作性能的穩定性。

發明內容

為解決現有技術半導體電容工作在耗盡區與反轉區時的電容值較不穩定的技術問題，有必要提供一種電容值比較穩定的半導體電容。

為解決現有技術半導體裝置的半導體電容工作在耗盡區與反轉區時的電容值較不穩定的技術問題，有必要提供一種具有上述半導體電容的半導體裝置。

本發明提供一種半導體電容，其包括：下電極板，該下電極板包括電容井區及設置于該電容井區上的擴散區，該電容井區與該擴散區均具有第一導電型，且該擴散區的摻雜濃度高于該電容井區的摻雜濃度；絕緣層，該絕緣層設置于該下電極板上；及上電極板，該上電極板設置于該絕緣層上；其中，該電容井區包括第一子井區，該第一子井區至少為該電容井區的部分區域，該第一子井區的摻雜濃度達到一預定摻雜濃度，以使得該半導體電容的最大電容值與最小電容值之差值占該最大電容值的百分比不超過70％。

本發明提供一種半導體裝置，其包括基底及形成于該基底上的半導體電容。該半導體電容包括：下電極板，該下電極板包括電容井區及設置于該電容井區上的擴散區，該電容井區與該擴散區均具有第一導電型，且該擴散區的摻雜濃度高于該電容井區的摻雜濃度；絕緣層，該絕緣層設置于該下電極板上；及上電極板，該上電極板設置于該絕緣層上；其中，該電容井區包括第一子井區，該第一子井區至少為該電容井區的部分區域，該第一子井區的摻雜濃度達到一預定摻雜濃度，以使得該半導體電容的最大電容值與最小電容值之差值占該最大電容值的百分比不超過70％。

由于該半導體電容的第一子井區的摻雜濃度達到該預定摻雜濃度，以使得該半導體電容的最大電容值與最小電容值之差值占該最大電容值的百分比不超過70％，從而當該半導體電容的上電極板與該下電極板被施加電壓而工作于耗盡區與反轉區時，其整體的電容值不會大幅下降，變化相對平穩。進而，該半導體電容以及具有該半導體電容的半導體裝置的工作性能較穩定。

附圖說明

圖1為本發明半導體裝置的第一實施方式的部分剖面結構示意圖。

圖2為圖1所示半導體裝置的俯視結構示意圖。

圖3為圖1所示半導體裝置的半導體電容的電壓-電容曲線。

圖4為本發明半導體裝置的第二實施方式的部分剖面結構示意圖。

圖5為圖4所示半導體裝置的俯視結構示意圖。

主要元件符號說明

半導體裝置 1、2 基板 10

公共井區 12 半導體電容 14、24